1. Распределение электрического поля и потенциала в полупроводнике в случае "резкой границы". Основные приближения модели "Проникновения поля в полупроводник". Используемые численные методы. Материалы, выносимые на доклад 1.1. Уравнение Пуассона в размерном виде. Граничные условия. Используемые приближения. 1.2. Уравнение Пуассона и граничные условия в нормированном виде. Константы нормировки. 1.3. Аналитические зависимости потенциала и концентрации свободных носителей заряда от глубины. 1.4. Результаты численного моделирования: аналитика, численное решение диф.урав. первого порядка, численное решение уравнения второго порядка. Метод пристрелки.
2. Распределение электрического поля и потенциала и концентрации в полупроводнике в случае "размытой границы". Основные приближения модели. Материалы, выносимые на доклад 2.1. Уравнение Пуассона в размерном виде. Граничные условия. Используемые приближения. 2.2. Уравнение Пуассона и граничные условия в нормированном виде (не учитывается явная зависимость от температуры) . Константы нормировки. 2.3. Однократное интегрирование уравнения Пуассона. 2.4. Результаты численного моделирования: численное решение диф. урав. первого порядка, численное решение уравнения второго порядка. Метод пристрелки.
3. Нормировка уравнения Пуассона для случая размытой границы. Явный учет температурных зависимостей при нормировки уравнения Пуассона. Материалы, выносимые на доклад 3.1. Уравнение Пуассона в размерном виде. Граничные условия. Используемые приближения. 3.2. Уравнение Пуассона и граничные условия в нормированном виде ( учитывается явная зависимость от температуры) . Константы нормировки. 3.3. Однократное интегрирование уравнения Пуассона.Результаты численного моделирования: зависимость концентрации свободных носителей заряда, потенциала и напряженности электрического поля от температуры.
4. Определение эффективной границы для задачи: " Проникновения поля в полупроводник".
Материалы, выносимые на доклад Последовательный вывод формулы для эффективной границы.
5. Определение эффективной границы с учетом явной зависимости от температуры и учета неравновестности концентрации носителей заряда в области "канала". ( до 20 баллов) Материалы, выносимые на доклад Последовательный вывод формулы для эффективной границы.
6. Температурная зависимость положения эффективной границы.
Материалы, выносимые на доклад 6.1. Алгоритм вычисления эффективной границы в среде MatCAD 6.2. Графики: концентрации свободных носителей заряда, потенциала и напряженности электрического поля для двух различных температур. Указать положение эффективной границы для двух температур.
7. Сплайн интерполяция. Основные соотношения. Алгоритм применения сплайн интерполяции в среде MatCAD. 8. Явный и не явный метод Рунге-Кутта. Алгоритмы. Примеры численного анализа.
Правила оформления: 1. Оформляется в формате doc. 2. Работа выставляется на форуме (до 18 октября), в разделе: " MESFET Вопросы моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки в различных специализированных пакетах: MatCAD, FlexPDE, MatLab, Synopsis" в виде ссылок на документы google c правом чтения "для всеx". 3. Высылается на почту преподавателю семинара и Перепеловскому В.В.( vvp@1024.ru) до 18 октября 2010г. 4. Высылается скайп имя по адресу vvp@1024.ru до 18 октября.
Регламент:
Начало семинара: Четверг 21 октября 21_30 Окончание семинара: Четверг 21 октября 22_45. Время выступления: 5 мин. Вопросы, обсуждение: 5 мин. Каждая тема, выносимая на семинар, подготавливается двумя студентами. Вход в систему Skype не позднее Четверг 21 октября 21_10!
Необходимо проверить микрофон и динамики. Внимание - любой шум распространяется на весь семинар. Соблюдайте тишину.
На семинаре оцениваются, как выступления, так и вопросы. |
|
|