| Автор | Аннотация | Место выполнения
| Ссылки | Марочкин В.В.
| Проводилось моделирование структуры модифицированного кремниевого дрейфового детектора. Данная структура предназначена для транспортировки индуцированных излучением носителей заряда к детектору сигнала. Получены распределения потенциала и токов в структурах толщиной 50 и 300 мкм. Проведен сравнительный анализ результатов и отобраны структуры наиболее подходящие для использования с детектором излучения MIGFET.
In this thesis, a Modified Silicon Drift Detector for MIGFET purpose was simulated. The MIGFET is a new device that consist of a transistor and MIG which is a potential energy minimum location for radiation induced signal charges located entirely inside the semiconductor. With a MIGFET-device, several readouts can be performed without destroying the collected charge.
The Modified Silicon Drift Detector (MSDD) is a Silicon Drift Detector based structure which can be easily integrated with the MIGFET, i.e. anode is replaced by the MIGFET. The purpose of the MSDD is to transport charges from a big area to the MIGFET. The detector can be used in optical, near infrared, ultraviolet and X-ray photon detection.
Keywords: image sensor, Modified Internal Gate Field Effect Transistor (MIGFET), noise, photon detector, X-ray detector, X-ray fluorescence spectroscopy, Modified Silicon Drift Detector
| СПбГЭТУ "ЛЭТИ" каф. ФЭТ, Lappeenranta University of Technology, Pixpolar Oy
| Презентация | | Филатов Д.Н. | | СПбГЭТУ "ЛЭТИ", каф. ФЭТ |
| | | | | | | | | | |
|
|
