Семинар № 11. HEMT

Отправлено 22 апр. 2010 г., 10:16 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 4 июл. 2010 г., 6:25, автор: Vladislav Marochkin ]
22 апреля 2010 года


1. Доклад Марочкина В. - High Electron Mobility Transistor (HEMT) реализация в пакете Синопсис. Работа на форуме.


2. Полякова Юля - Работа над дипломом (Приборно-технологическое моделирование + vpn).
3. Подготовка к проведению зачета по курсовым работам у 3го курса по Synopsys Sentaurus TCAD. 

Требуется: 

1. Получить задание на курсовую работу у С.П.Зубко 
2. Получить вторую часть курсового задания у Н.И.Михайлова (Для студентов, готовых писать курсовую работу по двум курсам). 
Курсовая работа состоит в моделировании технологии создания транзисторных структур ( МДП и ПТШ) с последующим вычислением ВАХ. 

Предварительный отчет о ходе выполнения курсовой работы будет приниматься на последней неделе апреля. О технологии обсуждения отчетов и времени, будет сообщено на сайте google.1024.ru. 

Вопросы курсовой работы, связанные с физикой моделируемых процессов, обсуждаются на практических занятиях соответствующих курсов и на форуме сайта google.1024.ru.

Вопросы синтаксиса и доступа в программному обеспечению обсуждаются на форуме сайта google.1024.ru. 

Comments