Семинар 30. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 15 дек. 2015 г., 8:26 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 16 дек. 2015 г., 1:36 ]
Интернет  - семинар. 
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype и youtube трансляция.

Технические правила: 
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.


ВНИМАНИЕ!

ССЫЛКА   для просмотра по трубе будет тут https://www.youtube.com/watch?v=gvGpaf1U_SU



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1

Моделирование GaN HEMT в среде Synopsys Sentaurus TCAD

Выступает: студент группы 1201 Куртеев Егор Евгеньевич (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Рецензент: аспирант кафедры КЭОП Васильев Александр (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")

Приводится описание принципов работы транзистора на основе структур AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN. 
В работе производится моделирование транзистров в среде Synopsys TCAD, а так же сравнение и анализ полученных данных.


Докладчик: Куртеев Егор Евгеньевич



Васильев Александр

Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор"
Скачать доклад тут:

Доклад в формате документов dropbox 


Структура GaN HEMT 2DEG в GaN HEMT



Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "



 Номер доклада
 2



Разработка программы в среде LabView, 
моделирующей работу вакуумной системы для изготовления изделий микроэлектроники


В работе представлена разработка программы, моделирующей работу вакуумной системы, предназначенной для изготовления изделий микроэлектроники.
Произведено моделирование системы откачки, системы нагрева и магнетронной распылительной системы. 
Программа может использоваться в качестве лабораторной для обучения студентов.


Бабинов Н. А.



Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/mu4N2mJSmDzPk
Моделируемая установка Рабочая панель программы




Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 



 Номер доклада
 3

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БУФЕРНЫМ СЛОЕМ 
НА ОСНОВЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlAs/GaAs В СРЕДЕ Synopsys Sentaurus TCAD

В работе моделировалась структура полевого транзистора с затвором Шоттки в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе сверхрешетки (AlAs/GaAs)x10. 



Киселев Александр Сергеевич

 


Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/2DKAJ88DmEAtk
Температура электронов Вольтамперная характеристика





Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 4

Cравнительное моделирование MESFET в среде SYNOPSYS TCAD

В работе моделировалась структура MESFET в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD. 
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе AlGaAs. 
Было проведено сравнение результатов моделирования, используя диффузионно-дрейфовую и гидродинамическую модель, изучено влияние слоя AlGaAs, 
построены распределения: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, а также ВАХ  для  полупроводниковой структуры.



Семилетова О.И


 


Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/1kI76IslmFRqz
Техническое задание Вольтамперные характеристики



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 5


Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD

Выполнено сравнение  экспериментальных данных  ВАХ с результатами, полученными с помощью SYNOPSYS SENTAURUS TCAD. 
Выяснить влияние концентрации слоя ALAS/GaAs на вид характеристик


Бажан Марина Михайловна



Семилетова Ольга Игоревна



Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://yadi.sk/i/qsvAtuelmFU7a

Тология моделируемой структуры Сравнение модели с экспериментом



Краткие сообщения


1. Лабораторная работа:  Моделирование pin-диодов в среде synopsys TCAD

Смородин Владислав https://drive.google.com/open?id=0BxWAUWOpmvCoMTlhdk9lYkpGWG8


2. Лабораторная работа: Разработка электронных устройств в среде 

SYNOPSYS SENTAURUS TСAD 

Щукин Дима   https://drive.google.com/file/d/0B8iot9L1FqGoOTR5OXpKekJ0SUk/view


3. Лабораторная работа: Многозатворная ЭНП в среде 

Synopsys Sentaurus TCAD

Паничев Ярослав


4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ, СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ

Ирина Александровна Устинова   https://yadi.sk/i/gGS6xzzxmFVZZ


В семинаре  планируется участие:


                Eugen Hollmann, senior scientist,  forschungszentrum  JULICH.


Проф. Сташкевич  А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France:  
  • Устинов А.  д.ф.-м.н
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Михайлов Н.И. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar 


Семинар проводится в рамках  учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике”

На семинаре присутствовало 30 человек.

БЛАГОДАРНОСТИ

Диме Щукину за организацию трансляции семинара.

Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2

Comments