Семинар 28. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 17 дек. 2014 г., 9:08 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 22 дек. 2014 г., 5:18 ]
Интернет  - семинар. 21_30. 18-го декабря 2014г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.




Отзыв на семинар:


Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1

CMOS Image sensor pixel design based on Modified Internal Gate FET
Приглашенный доклад


Марочкин Владислав
Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology




Дизайн пикселя для КМОП фотоматрицы:
-       Дальность детектирования объектов в 2.8 раза дальше.
-       Детектируемый диапазон от 380 нм до 950 нм.
-       Фотоматрица не может быть “ослеплена” с помощью лазерной указки или любых источников ИК излучения.
-       Высокая контрастность изображения.
-       В отличии от современных фотоматриц, для производства могут применяться стандартные КМОП производственные линии, делая производство дешевле и легче.
- Технология применима не только для кремния, но и для таких материалов как SiGe, Ge, AlGaAs, SiC и других.
http://www.pixpolar.com/technology/

Доклад в формате pdf.

Плакат в формате pdf.




 Номер доклада
 2

Моделирование туннельного транзистора на основе графена

В  работе рассматривается моделирование туннельного полевого транзистора на основе графена. Получены вольт-амперные характеристики для моделированных структур.


Градобоев Максим
Попов Александр
0207 ЛЭТИ СБП



Доклад в формате pdf
https://drive.google.com/file/d/0BygATmoudUmLNmk4WDVxQm5PM1E/view?usp=sharing 
Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://drive.google.com/file/d/0BygATmoudUmLT1RzaDNMYUlyeE0/view?usp=sharing 
Моделируемая структура туннельного полевого транзистора ВАХ моделируемого транзистора


Краткое сообщение

 Номер доклада
 3

Пьезоэлектрический МЭМС резонатор

В работе рассматривается источник опорной частоты состоящий из схемы усилителя, в цепь обратной связи которого включен пьезоэлектрический мэмс резонатор. Моделируются механические колебания резонатора.



Волынкин Сергей
9208 ЛЭТИ
TU Ilmenau








.


Доклад 
https://yadi.sk/i/7hc0KZpBdTJ2j 
Ссылка на анимацию 1
https://yadi.sk/i/EKUwqvuldTJ2h
Ссылка на анимацию 2
https://yadi.sk/i/qOhaYrU4dTJ2f
Ссылка на анимацию 3
https://yadi.sk/i/Da-4GicPdTJ2d

Концепт интегрированного
 генератора опорной частоты
на основе мэмс резонатора
Формы собственных колебаний



Секция 2
" LabVIew  реализации"

 Номер доклада
 4

Притяжение решений систем уравнений Лоренца

В работе рассматриваются две связанные системы нелинейных дифференциальных уравнений, 
решениями которых является хаотический сигнал. Одна из этих систем является ведущей, а другая - ведомой,
решение которой "притягивается" к решению ведущей системы. 
Исследуется возможность  передачи хаотического сигнала в акустическом диапазоне.  

 
Арина Кремлёва
Карзин Виталий
0291 ЛЭТИ СБП




Доклад
http://rghost.ru/59778127 pdf
http://rghost.ru/59777858





Краткое сообщение


 Номер доклада
 5

Моделирование транзисторной структуры в среде FlexPDE

Моделируется двухзатворная транзисторная структура, рассчитывается концентрация носителей заряла, потенциал и напряженность электрического поля на основе диффузионно-дрейфовой модели в среде FlexPDE.

Калитухо Инна
0291 ЛЭТИ СБП
.. ..


Доклад в формате pdf
http://vk.com/doc64075511_351090004



.. ..


Трансляция звука   http://cybergame.tv/keizi (возможна реклама)
Спасибо Байкову Павлу


Благодарности:

Чернову Андрею за обеспечение работы вычислительных серверов!



В семинаре 18 декабря 2014 планируется участие:





  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция
  • Stanislav Moshkalev, PhD, Vice-. director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ИТМО С.Петербург
  • Черкаский А.к.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Кондрашов Александр  к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Попов Дмитрий ас..ЛЭТИ
  • Андрей Дроздовский к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.нЛЭТИ
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
  • Михайлов Н.И. к.ф.-м.н. ЛЭТИ
Участники семинара Группа Результаты референдума 
по курсовым работам
Алексей Никтин 9207 Финляндия
Арина Кремлёва 0291 163
Градобоев Максим 0207 151
Игорь Захаров 0294 147
Паничев

Смородин Влад

Карзин Виталий 0207 150
Дмитрий Романович 0291 154
Дмитрий Щукин 1207
Попов Александр 0207 151
Байков Павел 0207 150
Любимцев Роман 0207 150
Кандил Саидзода 0207
Терехов Александр 0207 105
Александр Швандеров 0294
Волыкин Сергей 0208 Германия
Глазунов Александр 0207 150
Шевченко Сергей 0201 156
Марочкин Владислав

Васильченко Александр 0294
Калитухо Инна 0291 160
Василик Антон 0207 105
Артеев Дмитрий 0291 150




Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2



Comments