Семинар 25. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 12 дек. 2012 г., 0:35 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 17 сент. 2013 г., 8:42 ]
Интернет  - семинар. 21_30. 20-го декабря 2012г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.


Отзыв на семинар:

Михаил Давидович Парнес, доктор наук,  главный инженер ООО "Резонанс"
Скайп-конференция это очень интересное начинание, современное.Прослушал несколько докладов.Опыт , получаемый при  общении и обсуждении  студентами очень важен для их профессионального роста. Ценю труд , который потребовался для организации семинара.   

Левицкий Алексей Александровичк.ф.-м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет" 

C большим интересом ознакомился с материалами, представленными в рамках Интернет-семинара «Компьютерные технологии в твердотельной электронике».

Используемые информационные технологии соответствуют подходам, все шире используемым в научной среде. Тематика работ - от компьютерного моделирования полупроводниковых приборов до задач сопряжения компьютера с микроконтроллерными системами и приборами представляет несомненный интерес. Надеюсь на продолжение работы семинара и планирую в 

дальнейшем принимать в нем участие .


Leo Malkenson - USA Principal engineer, Escher Group, Boston, MA

This seminar is a very neat idea and it should definitely be kept up. A well known, though, of course, not trivial, Web technology like Skype was leveraged to bring together bright young and mature scientists from different corners of the world. I was impressed by the sophistication of the presented work. As a computer professional and a former physics major, I was pleased to see the use of the latest computer technology in addition to a very serious experimental work and theoretical analysis.




ДОСКА   ПОЧЕТА   2012
 
1244
 Соколов Е.  Степанов В.  . Лебедев А. 
 Терентьева В.  Свистунов А. Яковлев В. Архипов С.




 C наступающим новым 2013 годом!!!







Технические особенности работы семинара:
Создается две скайп-конференции (активная и пассивная). В состав активной входит преподавательский состав, а также первые две группы докладчиков с оппонентами (выбранная по общему решению). В составе пассивной входят все студенты, которые предоставили свои работы на сайте и желающие задать вопрос защищающимся. Голосовая связь постоянно поддерживается только с первой скайп-конференцией (активной). Первые докладчики после ответов на вопросы сами удаляются из активной скайп-конференции и остаются в пассивной. Следующие докладчики будут добавлены Лебедевым Андреем Владимировичем в активную скайп-конференцию из пассивной. Желающие задать вопросы пишут их в чате пассивной скайп-конференции. 

Удаление из активной скайп-конференции каждый участник выполняет сам лично (нажимаем на вкладку сверху Разговоры->Выйти из разговора). 

Технические правила:
Иметь гарнитуру или наушники, чтобы не возникал шум. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.

Трансляция звука   https://sites.google.com/site/fet5486/chat 



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1
Моделирование инвертора в среде Synopsys Sentaurus TCAD

В данной работе схема CMOS  инвертора моделировалась на базе nCMOS и pCMOS транзисторов. Расчеты инвертора получены в результате описания в программе расчета для Sentaurus TCAD. Получены переходные характеристики инвертора. Вольт-амперные характеристики nCMOS транзистора.

Архипов Сергей Владимирович Докладчики
Ноздрин Иван  Анатольевич Оппонент 

Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
Доклад в формате документов google 

https://docs.google.com/open?id=0BxQRh_KVHJcBZkZMVXVQbDRSNzg

Доклад отдельным файлом в формате ppt  

http://goo.gl/t3rox

Слайд 1.Схема с названиями
узлов
Слайд 2. Входное и выходное
напряжение  от времени



Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "



 Номер доклада
 2

"Управление микроконтроллером в среде LabVIEW"

В работе рассматривается способ управления внешним устройством в среде LabVIEW. Реализовано управление шаговым двигателем с помощью специально изготовленного драйвера, созданного на базе микросхемы LB1649, и  микроконтроллера AVR ATMega328P, подключённого к ПК с помощью переходника USB-COM на основе микросхемы FT232RL. Использование микроконтроллера позволило упростить алгоритм программы на стороне LabView.

Дворецкий Никита
Докладчики
Богданов Василий Оппонент
Басков Алексей
Документы в google docs:
Презентация:
https://docs.google.com/open?id=0B5XNMrwE9asgOElVWDNrbnJIakk
PDF:
https://docs.google.com/open?id=0B5XNMrwE9asgZ1pLVENIZktPRG8
Доклад отдельным файлом http://rghost.ru/42291240 Алгоритм Панель управления в среде LabVIew



Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"


 Номер доклада
 3
Моделирование полевого транзистора с буферным слоем в среде FlexPDE

В работе рассматривается задача моделирования полевого транзистора Шоттки с буферным слоем в среде FLexPDE с затвором углублённым в активный слой. Исследуется влияние длины затвора на распределение концентрации и потенциала в транзисторе
Можаев Е.В. Докладчики
Жаботинский А.В. Оппонент
Степанов В,А,
Доклад в формате документов 
https://docs.google.com/file/d/0B6ni-_7GhVptRDBKYkdvbDE1Nm8/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/vtxc2114abho6v8/FET2_FlexPDE.ppt
Распределение потенциала в транзисторе в зависимости от длин затворов. Распределение концентрации (нормированной к концентрации в активном слое) в транзисторе в зависимости от длин затворов



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 4

Моделирование MESFET с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD

В данной работе изучается влияние толщины и уровня легирования буферного слоя в ПТШ на его характеристики. Также подбираются параметры буферного слоя, обеспечивающего защиту от проникновения тока в подложку, для ПТШ с заданными параметра

                               Терентьева Валентина Николаевна Докладчик

Оппонент
Соколов Егор
Доклад в формате документов google 
pdf 
https://docs.google.com/open?id=0B2ucXNz8KQKMUUEtRlVI
aVNKQmM 

ppt 
https://docs.google.com/open?id=0B2ucXNz8KQKMVzJhejVw
YmtpWWM 

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
http://rghost.ru/42309917
Зависимость ВАХ ПТШ от толщины 
буферного слоя при разных уровнях 
его легирования
Зависимость ВАХ ПТШ от уровня 
легирования  буферного слоя толщиной 1.9 мкм






 Номер доклада
 5

Исследование зависимости вольт-амперной характеристики полевого транзистора Шоттки от свойств буферного слоя 


В работе исследуется зависимость ВАХ ПТШ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. На основе исследованной  литературы была составлена топология максимально приближенная к реальной. Размер затвора 0,5 мкм, толщина буферного слоя 1мкм, активной области 400нм. В процессе моделирования исследованы два ПТШ с разными толщинами буферного слоя. Наблюдается рост ВАХ при увеличении концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Рост имеет пороговый характер: значительное увеличение происходит после n =1 ∙ 10 15 см -3 . Эффект наблюдается в обоих исследованных структурах.


Андрей Одинец  Докладчик

Оппонент
Павел Сомов
Доклад в формате документов
 google 
https://docs.google.com/presentation
/d/1XD5VLbYKaVv7alihf_RPxExr6Z6H
Y5V9XRLclN7M18Q/edit#slide=id.p

PDF
https://docs.google.com/file/d/0Bxsq2
2U1pPFyWTV2ZngyOUJONEE/edit

Доклад отдельным файлом в формате ppt  
http://files.mail.ru/3UK1M5
ВАХ ПТШ с буфером 1мкм при различных концентрациях свободных носителей заряда в буферном слое Топологии моделируемых транзисторов




 Номер доклада
 11


"Моделирование полевого транзистора Шоттки в среде SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"

"В работе представлено моделирование транзистора Шотки с буферным слоем, который обеспечивает защиту от проникновения тока в подложку. В процессе моделирования были рассмотрены различные варианты толщин буферного слоя и концентраций легирующей примеси в нем. По итогам работы была определена оптимальная степень легирования и толщина буферного слоя для обеспечения защиты от проникновения тока в подложку."

OLYMPUS DIGITAL CAMERA         Свистунов А.Н.

 Оппонент
Можаев Е.В.
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtUU1fNGNsL
VlPZVU


https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtZHNkQmFBU
EFFREU
Доклад отдельным файлом в формате ppt http://goo.gl/IVeKp топология моделируемой структуры распределения плотности тока 
и плотности тока электронов 
в структурах с буферными 
слоями 0,5 и 0,6 мкм



 Номер доклада
 12

Исследование влияния концентрации свободных носителей заряда в буферном слое на вольтамперную характеристику ПТШ

В работе рассматривалось влияние концентрации свободных носителей заряда в буферном слое на ВАХ полевого транзистора Шоттки. При толщине  буферного слоя 0.2мкм наблюдаются максимальные значения тока стока.


Дмитрий Скворцов Докладчик

Оппонент
Архипов С.В.
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com
/open?id=0B09A1KPsVwE0bH
dGaEJVNGxQNU0



Доклад отдельным файлом в формате ppt
http://yadi.sk/d/-Jm5-zs51HOlf 
Топология моделируемой 
структуры ПТШ
Распределение свободных 
носителей заряда под затвором





Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "




 Номер доклада
 6

"Автоматизации измерений параметров радиоимпульса"


В докладе рассмотрена возможность измерения параметров радиоимпульса с применением технологии  удаленного доступа  реализованного  в среде LabVIew.
Программа считывает  радиоимпульс  через  специализированный осциллограф  и производит расчет параметров считанного  радиоимпульса.

Степанов В.А.  Докладчики
Лебедев А.В.  ОппонентOLYMPUS DIGITAL CAMERA         Свистунов А.Н. 
Доклад в формате документов google  
https://docs.google.com/open?id=0B9tAeDJy_Xc9U3g2aC1ReEIxNWc

https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtZHNkQmFBUEFFREU


Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/mhcjo3cdseu6s
9v/Stepanov%26Lebedev.ppt
Пользовательский 
интерфейс программы
Блок схема программы в среде LabView




 Номер доклада
 7

"Определение собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора"

Для исследования собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора  использовались микрофон и динамик, подключенные к компьютеру. В программе LabView 8.6 разработана программа  воспроизведения звука заданной частоты и обработка принимаемого  микрофоном сигнала. Исследовалась  зависимость частоты собственных мод от температуры.  


Седельников В.В.

Оппонент Кузнецов И.

Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B-1jZ2zFeww8YTFEZGZBSTNiN1k/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/tykpw1oxde83
fce/Kyrsovaia_rabota_Sedelinikov.pdf

 
Зависимость резонансной частоты 
 от температуры
Панель управления



 Номер доклада
 8


"Работа с web камерой в среде LabView - учебный фильм"

В докладе рассмотрен алгоритм подключения Web камеры в среде LabVIew c  
последующей простейшей обработкой изображения. Рассмотренный элемент  системы машинного зрения 
может применяться для  бесконтактного измерения  геометрических размеров, контроля и идентификации 
изделий, диагностики и контроля монтажа элементов  печатной платы.

Яковлев В.Г Докладчики
SONY DSC                       Плешков Д

Учебный фильм


Доклад в формате документов google  https://docs.google.com/open?id=0By5VYu_3QgKsU0VlUmo5U0VCdFE
Доклад отдельным файлом в формате ppt https://docs.google.com/file/d/0By5VYu_3QgKsc0RvNTNoaHNZU1U/edit
Блок схема





 Номер доклада
 13

"Детектирование изменений границ объектов в среде LabView"

В данной работе рассмотрен алгоритм детектора движения реализованный  в среде  Labview. Детектирование движения происходит  сравнением 2-х контуров изображений, поступающих с веб – камеры в режиме реального времени. Для построения контуров использован оператор Кэнни, который позволяет исключить влияние смены освещенности. Алгоритм работы оператора "Кэнни" основан в формировании контура границы  из точек максимума градиента изображения.

Ефимов Юрий Витальевич 8294 Докладчики
Афанасьев Андрей Юревич 8294  Оппонент
Бурчикова Ирина Алексеевна 8293
Доклад в формате документов google 
pdf:
https://docs.google.com/file/d/0B_J9i9JvjpPSVEF3NU
doNGtQQXM/edit

ppt:
https://docs.google.com/file/d/0B_J9i9JvjpPSbDNxcW
95VWJsRUE/edit


Доклад отдельным файлом в формате ppt [ ] Панель управля параметрами 
фильтра Кэнни
Блок схема LabVIew. 1)Подключение web-камеры 2)построение контуров Кэнни 3)Операция определения движения






 Номер доклада
 14

Организация связи между компьютером и микроконтроллером в среде  LabView

В  работе осуществлено управление периферией  и обмен данными между микроконтроллером AVR ATmega8 и ПК, при помощи  пакета LabView. Связь между ПК и микроконтроллером  осуществлена по стандарту RS-232, через последовательный COM порт. В курсовой работе отслеживалась температура и строился её график. При повышении температуры заданного значения, производилась информирование пользователя, то есть, реализован простой пропорциональный регулятор.  Программа может применяться  в системах автоматизированного управлении.

Рогожин К.В Докладчик

Учебный фильм



Доклад в формате документов google  

https://docs.google.com/open?id=0B8Xi5kdj8NQUVm43c3V1UThpejQ
Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://www.dropbox.com/s/vtxu4esj74c6tct/li
nk%20between%20MK%20and%20PC%28pdf%29.pdf


Доклад отдельным файлом в формате pdf





 Номер доклада
 15

"Модуль  управления   пикоамперметром фирмы Keithley.  Изучения вольт-амперных характеристик мощных синих светодиодов на основе InGaN/GaN" 

В докладе представлена программа, выполненная в среде LabView, для измерения вольт-амперных характеристик мощных синих светодиодов на основе InGaN/GaN при помощи пикоамперметра фирмы Keithley, разработанная в ходе выполнения курсовой работы. В программе предусмотрены: возможность сохранения результатов в файл, возможность изменения: шага измерений, количества повторений одной точки, времени установления сигнала. Графики приводятся в линейном и логарифмическом масштабах.

. Тальнишних Н 8291 Докладчик

Сокура Лилия - оппонент
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/open?id=0B0fzi_5Oo4-wcVItZGFnNUtfdWM
Доклад отдельным файлом в формате ppt https://docs.google.com/open?id=0B0fzi_5Oo4-wNmFpeFBWaUFoT1k Слайд 1 Измерительная часть блок схемы программы Пользовательский интерфейс



 Номер доклада
 16

"Распознавание образов в среде LabView. Измерение параметров прямоугольника с внешнего JPEG-изображения"

Разработана программа, которая анализирует внешний рисунок (JPEG-файл) и измеряет параметры  изображённого на нём прямоугольника. Для построения программы использовался стандартный инструментальный набор LabView.  От пользователя требуется задать путь к исходному файлу и расставить курсоры на графиках. Все остальные вычисления и построения  выполняются автоматически.


Сокура Лилия Александровна Докладчик

Оппонент
 Тальнишних Надежда Андреевна
Доклад в формате документов google 

https://docs.google.com/open?id=0B9Pq9t3TT5YydGpOT2NNN3pRc3c


Доклад в формате ppt 

https://docs.google.com/presentation/d/1cqlv
3ccbiaO09fvcZ23s_I8YRvXAPCDze_2arCdUT_U/edit
Блок-схема программы
Внешняя панель программы






 Номер доклада
 19

Выделение полезного сигнала на фоне структуроподобной помехи
The selection of the desired signal to background noise with spur interference

В работе рассматривается задача выделение полезного сигнала на фоне помех в среде LabVew. 
Исследуется способность фильтрации очень близких сигналов.

БУЙ М.Туан.  Докладчик


Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/presentation/d/1reoe-nMdsZvq00ITM4adoI4rXcIcFJf8BHZeImigRmY/edit#slide=id.p28

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://www.dropbox.com/sh/rdihdusgdrv5opv/Db5ocOmRrc
Интерфейс программы





Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"


 Номер доклада
 9

Исследование скорости сходимости в задаче моделирования MESFET

Проведено исследование скорости сходимости в задаче моделирования полевого транзистора шотки 
в специализированной среде FlexPDЕ для версии программы «FlexPDE 5. 1. 0s Student Version» 
с использованием уравнений Пуассона и непрерывности.  Выяснена причина возникновения всплесков 
напряженности при правильных граничных условиях и возможности 
 уменьшения всплесков.

Соколов Егор Владимирович Докладчик 

Оппонент
                               Тереньтьева Валентина Николаевна
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B5kfYAY
JzUrBQm5WaEp4UFpkSDA/edit
ppt
https://docs.google.com/file/d/0B5kfY
AYJzUrBdUd2a09yaHpEUWc/edit

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://www.dropbox.com/s/ce64phyiddex7o
u/Prezentatsia_Sokolov_E_V_gruppy_8294.ppt
Распределение напряженности 
для правильных граничных 
условий с явными всплесками 
на закруглениях.
Распределение напряженности 
с отсутствием всплесков 
на закруглениях.


 Номер доклада
 10

Расчет эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки

В работе рассмотрено влияние полескоростной характеристики кремния при
расчете эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки.
Вычисления распределения концентрации произведено в среде FLEXPDE, 
положение эффективной границы определено в среде MatCAD.


Басков Алекей  Докладчик

Оппонент
Дворецкий Н.Е.
Доклад в формате документов google 
pdf: 
https://docs.google.com/open?id=0B-1jZ2zFeww8VC1PLXRWMlhhQ1U
ppt: 
https://docs.google.com/open?id=0B-1jZ2zFeww8VmRYZ2tqOXdOaWM

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
http://rghost.ru/42317528
Распределение концентрации 
электронов
Линейная аппроксимация
 распределения концентрации электронов


 Номер доклада
 17

Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE

В работе рассматривается задача моделирования многослойной структуры ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE. Был сделан ряд приближений и получены распределение потенциала, концентрации и напряженности поля в пределах построенной структуры.


Суербаева Н.Р. Докладчик
 Ермаков С.Д. Оппонент
Седельников
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B6ni-_7GhVptVTVTSW1NVkI4NTg/edit?pli=1 
Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://www.dropbox.com/
s/vxgub67z9awepqe/FET.pdf
Вычислительная сетка Результат моделирования – 
многослойная структура ПТШ




 Номер доклада
 18

"Моделирование полевого транзистора   с буферным слоем и  
углубленным затвором в среде  FlexPDE" 

В работе рассмотрены результаты моделирования модели ПТШ с буферным слоем. 
Затвор ПТШ углублён в активный слой.

Горицков  Пётр Никитич

 Оппонент
Попов Дмитрий  Александрович
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B-1jZ2zFeww8ZGM5U2pEa1dLZXM/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt [ ] Структура Распределение концентрации



8201 Лебедев Андрей Владимирович  Инфраструктурное обеспечение семинара.



 
Филатов Д.А.
 
 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 20 декабря 2012 планируется участие:

 

  • Устинов А.  д.ф.-м.н
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция
  • Григорьев А. Д.  д.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Михаил Давидович Парнес,доктор наук ,  главный инженер ООО "Резонанс"
  • Nataly Grigorieva к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Наталья Медведева к.ф.-м.н.
  • Андрей Дроздовский к.ф.-м.н.
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
  •    


Благодарности:

Филатову Д.А.
Марочкину В.В.



Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2



Comments