Семинар 23. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 24 мая 2012 г., 08:48 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 24 мая 2012 г., 10:19 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 24-го мая 2012г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара		Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники". 

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.

Секция:" Динамическое моделирование в среде Synopsys TCAD " 


"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Антонов Антон, 9202, ЛЭТИ 
  

Доклад: https://docs.google.com/presentation/d/11U5IsOzERX8B6sFOxrz4nBaqnMqwn2BDLZyiWi-woNc/present#slide=id.p14 
Доклад отдельным файлом:  
http://dl.dropbox.com/u/78760888/AntonovAV9202_dynamic_simulation_h.pdf
Видео:
http://youtu.be/DnSsBhhlAjM

Частота отсечки
.
.
Переходные процессы при изменении напряжения на затворе ПТШ





"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Николай Шерстнев,  ЛЭТИ 
  

Доклад:  https://docs.google.com/open?id=0ByI6eiXEgdIYUnY2X1hoeHdpWTA  
Доклад отдельным файлом:  
................................................
Видео:

http://www.youtube.com/watch?v=Gy6dFTEwgO4&feature=channel&list=UL




Элементы технологии
.
 
Приборное моделирование




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Вайгачев Александр,
Горохов Али  ЛЭТИ 
  

Доклад http://dl.dropbox.com/u/79762966/VaygachevGohohov.pdf 
Доклад отдельным файлом:  
..................................................
Видео:
http://www.youtube.com/watch?v=y6w9Sjmc-7s		.
.

Технологические операции
.

Приборное моделирование




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Прохоров Александр, ЛЭТИ 
  

Доклад https://docs.google.com/open?id=0B-HiTkosRC_WOVgtRlY4dmlUb1U 
Доклад отдельным файлом:  
http://ifolder.ru/30692895
Видео:
http://youtu.be/9VxFt_wqStU
-ссылка на первую часть youtube

http://youtu.be/tyS3IPUFVCk
-ссылка на вторую часть youtube

http://youtu.be/KEyBX1TUtgI
-ссылка на третью часть youtube

http://youtu.be/fR77CQh4nS4
-ссылка на четвертую часть youtube 
.
модуль полного тока
. .
динамика образования обедненной области




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Волынкин Сергей, ЛЭТИ 
  

Доклад:  http://dl.dropbox.com/u/71259886/volinkin9208.pdf 
Доклад отдельным файлом:  

Видео:

http://www.youtube.com/watch?v=rqLYbaVYOeg

http://www.youtube.com/watch?v=1O2ybQgdy1Y

http://www.youtube.com/watch?v=VzaA7DiYJgs

. .
Приборное моделирование
Частота отсечки ПТШ в зависимости от поданного напряжения на затвор



Секция:" LabView  моделирование " 





Филатов Д.А. 		 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 22 декабря 2011 планируется участие:

 




  • Калиникос Борис Антонович д.ф.-м.н., зав.каф.,
    • профессор, ЛЭТИ, Лауреат государственной премии СССР
  • Шаповалов Виктор Иванович, д.т.н проф. ЛЭТИ
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция, Париж
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Зубко Светлана Петровна к.ф.-м.н
  • Михайлов Николай Иванович к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Устинов А.  к.ф.-м.н
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ммс" начальник отдела 
  • Марочкин В. В. аспирант Финляндия. Хельсинки.
  • Черкасский Михаил Анатольевич аспирант ЛЭТИ   


Благодарности:

Филатову Д.А.
Марочкину В.В.

Comments