Семинар 20. Моделирование приборов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD

Отправлено 19 мая 2011 г., 9:38 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 25 мая 2011 г., 23:22 ]


В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники".

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, посвященные двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype





1. Моделирование дрейфового Si- MIGFET- детектора. Марочкин В.В., Espoo, Finland, ЛЭТИ, Россия.










Моделирование структуры модифицированного кремниевого дрейфового детектора.Структура предназначена для транспортировки индуцированных излучением носителей заряда к детектору сигнала. Получены распределения потенциала и токов в структурах толщиной 50 и 300 мкм. Выполнен сравнительный анализ результатов и отобраны структуры наиболее подходящие для использования с детектором излучения MIGFET. Link
Fig.1 (a) Double MIGFET pixel structure. (b) The full structure of the detector that consists of Modified Silicon Drift Detector where in the anode replaced by a double MIGFET device.
Fig.2 Transient simulation of MIGFET: reset, integration, transfer, measurement steps.



2. Приборно-технологическое моделирование Mesfet в среде SYNOPSYS. Студенты 3-го курса ЛЭТИ


 8209 Павел Сомов

В работе проводилось сравнение результатов двух способов моделирования: с учетом технологии изготовления ПТШ и без учета технологии.

https://docs.google.com/present/view?id=0Ad1zPUKlOQA0ZGd3Z3B6dF8zN
WN6MmttbWM5&hl=ru
 
Текст программы технологического моделирования
Распределение объемного заряда. Верхний рисунок - технологическое моделирование, нижний - моделирование без учета технологии




8208 Яковлев Георгий  

Исследование ПТШ с буферным слоем i-n-i
https://docs.google.com/present/view?id=0AZteKETzClBXZGNrdGpnOWhfMT
FmYm5yaDlkNw&hl=ru
 

ПТШ с буферным слоем i-n-i.
Потенциал электрического поля

 Буферный слой обеспечивает наивысшую плотность тока в активном слое.


8208 Евсеенков Антон

Моделирование ПТШ в гидродинамическом приближении

https://docs.google.com/leaf?id=0B4V6uZn50c6SZTAxN2ExMjYt
MDA4Yy00NDM2LT
kzYjQtNGVkZDE5NjFiYTkw&hl=de
 
 
Сравнение структур с различной концентрацией примеси в канале ПТШ. Гидродинамическое приближение.



 
8208 Бобков Антон:

Моделирование ПТШ с буферным слоем на основе p-n перехода в гидродинамическом и диффузионно-дрейфовом приближении

 https://docs.google.com/present/edit?id=0Ae0wfmBk6MaLZGd4cDdicWtfM
TU5Z2NtbXZuZmY&hl=ru&authkey=C
P64w5YD
 
 



 
8204 Погорецкий Вадим

В работе представлено сравнение двух расчетных моделей в пакете Synopsys Sentaurus TCAD : Диффузионно-дрейфовая (рис слева) и Гидродинамическая (рис справа).

https://docs.google.com/present/view?id=df58gfv6_6ds6mqndf
  

Плотность тока для  Диффузионно-дрейфовая (рис слева) и Гидродинамическая (рис справа). 
 


6207 Полтораков Виталий 

  Моделирование helios nanоlab 400 в среде LabView

Видео YouTube



 
Филатов Д.А.
 
 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 19 мая 2011 планируется участие:

 




  • Калиникос Борис Антонович д.ф.-м.н., зав.каф.,
  • профессор, ЛЭТИ, Лауреат государственной премии СССР
  • Шаповалов Виктор Ивановичд.т.н проф. ЛЭТИ
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. ФранцияПариж.
  • Зубко Светлана Петровна к.ф.-м.н
  • Михайлов Николай Иванович к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Черкасский Михаил Анатольевич Аспирант
  • Семенов А. к.ф.-м.н
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Пахомов О. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. аспирант 
  • Марочкин В. магистр Финляндия. Хельсинки.  
  • Погорецкий В. Г. гр. 8204
  • Яковлев Георгий гр.8208
  • Павел Сомов 8209
  • Бобков Антон Алексеевич 8208 
  • Евсеенков Антон Сергеевич 8208
  • Чернов А. 8208
  • Чеплагин Н. 6207
  • Васильев Андрей 6202
  • Петрова К. 6203
  • Полтораков В. 6207
  • Дмитрий М. 6207
  • Новицкий Виктор Иванович 8208

Comments