Семинар 20. Моделирование приборов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD

Отправлено 19 мая 2011 г., 09:38 пользователем Vadim VVP [ обновлено 25 мая 2011 г., 23:22 ]

В.В.Перепеловский
ведущий семинара

Интернет семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники".

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, посвященные двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.

1. Моделирование дрейфового Si- MIGFET- детектора. Марочкин В.В., Espoo, Finland, ЛЭТИ, Россия.

Моделирование структуры модифицированного кремниевого дрейфового детектора.Структура предназначена для транспортировки индуцированных излучением носителей заряда к детектору сигнала. Получены распределения потенциала и токов в структурах толщиной 50 и 300 мкм. Выполнен сравнительный анализ результатов и отобраны структуры наиболее подходящие для использования с детектором излучения MIGFET. Link

Fig.1 (a) Double MIGFET pixel structure. (b) The full structure of the detector that consists of Modified Silicon Drift Detector where in the anode replaced by a double MIGFET device.

Fig.2 Transient simulation of MIGFET: reset, integration, transfer, measurement steps.

2. Приборно-технологическое моделирование Mesfet в среде SYNOPSYS. Студенты 3-го курса ЛЭТИ

8209 Павел Сомов В работе проводилось сравнение результатов двух способов моделирования: с учетом технологии изготовления ПТШ и без учета технологии. https://docs.google.com/present/view?id=0Ad1zPUKlOQA0ZGd3Z3B6dF8zN WN6MmttbWM5&hl=ru	Текст программы технологического моделирования	Распределение объемного заряда. Верхний рисунок - технологическое моделирование, нижний - моделирование без учета технологии
8208 Яковлев Георгий Исследование ПТШ с буферным слоем i-n-i https://docs.google.com/present/view?id=0AZteKETzClBXZGNrdGpnOWhfMT FmYm5yaDlkNw&hl=ru	ПТШ с буферным слоем i-n-i. Потенциал электрического поля	Буферный слой обеспечивает наивысшую плотность тока в активном слое.
8208 Евсеенков Антон Моделирование ПТШ в гидродинамическом приближении https://docs.google.com/leaf?id=0B4V6uZn50c6SZTAxN2ExMjYt MDA4Yy00NDM2LT kzYjQtNGVkZDE5NjFiYTkw&hl=de	Сравнение структур с различной концентрацией примеси в канале ПТШ. Гидродинамическое приближение.
8208 Бобков Антон: Моделирование ПТШ с буферным слоем на основе p-n перехода в гидродинамическом и диффузионно-дрейфовом приближении https://docs.google.com/present/edit?id=0Ae0wfmBk6MaLZGd4cDdicWtfM TU5Z2NtbXZuZmY&hl=ru&authkey=C P64w5YD
8204 Погорецкий Вадим: В работе представлено сравнение двух расчетных моделей в пакете Synopsys Sentaurus TCAD : Диффузионно-дрейфовая (рис слева) и Гидродинамическая (рис справа). https://docs.google.com/present/view?id=df58gfv6_6ds6mqndf	Плотность тока для Диффузионно-дрейфовая (рис слева) и Гидродинамическая (рис справа).