Online Seminar‎ > ‎

Темы семинара

Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники


Руководитель семинара: Перепеловский Вадим Всеволодович
к.ф-м.н, доцент кафедры ФЭТ Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» 

Семинар проходит по четвергам в 21_30.
Принять участие в работе семинара и форума приглашаются: студенты, аспиранты, молодые ученые и специалисты в данной области.






Семинар 31. Компьютерные технологии в твердотельной электронике. Численные методы, граничные условия.

Отправлено 11 дек. 2016 г., 23:44 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 11 янв. 2017 г., 10:08 ]

нтернет  - семинар. 
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype и youtube трансляция.
 




Семинар посвящен памяти 

Барыбина А.А.
 
 
Технические правила: 
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.
Начало семинара в 21_30 по Москве. Требуется быть в сети в 21_00.

ДОСКА   ПОЧЕТА   2016
 Смирнов В.ВРамазанов А. Н. Ключерев Никита 

 
 Сарибекян А.М.Логинов Д. В.Иванова Р. В.



ВНИМАНИЕ!
ССЫЛКА   для просмотра по трубе будет тут
Международный семинар от 19 декабря 2016г запись: https://www.youtube.com/watch?v=YwuMbfLreOI

Cеминар от 12 декабря 2016г  запись: https://www.youtube.com/watch?v=GGZ8LOSY2Zw


П р и г л а ш е н н ы й   д о к л а д  

Выступление после докладов студентов.

Санкт - Петербургский   Академический  университет 
научно-образовательный центр нанотехнологий РАН

Низкоэнергетические синглетные возбуждения в модели антиферромагнетика Гейзенберга на квадратной решетке со спином-½





Доклады (формат -5 минут)


Секция 1
"Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"


 Номер доклада
 1

Вопросы сходимости метода Ньютона-Рафсона в средах с нелинейной поле-скоростной характеристикой

Сравниваются два метода решения дифференциальных уравнений в пакете FlexPDE: динамический, т.е. с уравнениями, зависимыми от времени, и статический, т.е. без оных. Для сравнения во FlexPDE было проведено моделирование ПТШ обоими способами. Результаты моделирования показали, что правильный выбор функции изменения динамических переменных приводит  лучшей сходимости.


Никита Ключерев 2202
Логинов Денис Вадимович,2201
Доклад в формате документов google 
 https://docs.google.com/presentation/d
/1FYyXsT6N9Bt6rfLv7p0XojzO605Kw
TjgLdEbytUu4Wg/
Доклад отдельным файлом в формате ppt Метод Ньютона и РасходимостьСравнение расходимости



Секция 4

"ANSYS и другие среды"


 Номер доклада
 2

Моделирование ферритового полоскового циркулятора S-диапазона в программном пакете ANSYS

В данной работе было проведено моделирование СВЧ-циркулятора в программном пакете ANSYS. 
- Выполнен расчет неоднородного поля магнитной системы в ANSYS Maxwell.
- В результате были получены и представлены S-параметры прибора


Сарибекян А.М.2207


Смирнов В.В.гр.2207
https://docs.google.com/
presentation/d/1iuKKFO7
Rn2963bwVJMy10CAnLzZAw-gfJ0w6WKtvHxI/edit#slide=id.p4



Доклад отдельным файлом в формате ppt Создание топологии 
СВЧ циркулятора
Распределение напряженности
 магнитного поля


Секция 3
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "

 Номер доклада
 3


Автоматизация стенда измерения параметров СВЧ-модуля

Разработанная программа позволяет сократить время измерения на несколько порядков

Логинов Денис 
Вадимович,2201
Лопарёв Юрий 2201
https://docs.google.com/
presentation/d/1eYnLNv
OfShQCdo3dbIo6Dc8fs
NPpCF85CImusl_78ss/edit?usp=sharing



Доклад отдельным файлом в формате ppt 




Секция 2
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

Доклад снят

Ярослав Паничев
Программируемый PIN диод



Секция 1
"Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"


 Номер доклада
 

Моделирование полевого транзистора с Х-топологией

Применение Х образной структуры транзистора приводит к эффективному уменьшению длинны затвора

Лопарев Юрий Дмитриевич, 2201
Логинов Денис Вадимович,2201
презентация в формате .pdf  https://drive.google.com/open?id=0ByuZecpWgWbxTzdyVHlKdlpTY00


Доклад отдельным файлом в формате ppt  https://drive.google.com/open?id=0ByuZecpWgWbxVE1mYnpmS2tFVU0Стандартная топология транзистораХ-топология транзистора




 Номер доклада
 

Граничных условий второго рода в задаче моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки

В данной работе изучаются особенности задания ГУ в программе FlexPDE.

Иванова Римма Викторовна, гр.2208
Рамазанов Александр Нажмудинович , гр.2203
https://docs.google.com/
presentation/d/1aaVU51ZXAEK6S-J8y7HiP7i01P251tt5u3v3XguFYQk/edit




Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://yadi.sk/i/coHm7kEN33ErnH
Топология моделируемой
 структуры
Распределение потенциала,
концентрации в структуре 




 Номер доклада
 


Граничные условия для функций с разрывом

В работе исследовалось задание граничных условий на контактах. Для этого была изучена функция CONTACT,
 с помощью которой возможно задать такие разрывные функции, как потенциал и температура.

Давыдовская Клавдия Сергеевна, гр. 2291Слайд 1 ширина 200Слайд 2 ширина 200
оппонент Кулага Станислав  Эдуардович
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/presentation/d/1Qi8NLv
COrW58Seo2F-yNsa602IYCT5aIgzMx-MEoLvw/edit?usp=sharing


Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://docs.google.com/presentation/d/1Q
i8NLvCOrW58Seo2F-yNsa602IYCT5aIgzMx-MEoLvw/edit?usp=sharing
Подпись к слайду 1Подпись к слайду 2



Секция 2
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 


Моделирование инвертора в среде SYNOPSYS TCAD - элементы синтаксиса

Моделирование инвертора на основе двух МДП-транзисторов в среде  Synopsys Sentaurus TCAD с подробным описанием синтаксиса

Рамазанов Александр Нажмудинович
Иванова Римма Викторовна
Доклад в формате документов google 
https://drive.google.com/open?id=0B4CJd7sT3cmaVGhHMz
VTS05yeUk


Доклад отдельным файлом в формате ppt https://yadi.sk/d/ZIFWLSy732hsVbСхема инвертора с
названием узлов
Зависимости входного и
выходного напряжения от времени



Секция 3
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "


 Номер доклада
 

Работа с растровой графикой в среде LabVIEW


В курсовой работе была осуществлена регулировка яркости, контрастности и инверсия растрового изображения градации серого цвета. Код программы написанный в среде labVIew позволяет выводить на рабочую панель гистограммы входного и выходного изображения для дальнейшего сравнения и анализа.

Смирнов В.В.гр.2207
Сарибекян А.М.2207
Доклад в формате документов google 


https://docs.google.com
/presentation/d/1zJ4_z
SYpfeK1_szsPAaBIM8tLM
FqZquZVddSyoSjMKg/edit#slide=id.p4

Работа с контрастностью 
растрового изображения




Секция 4

"ANSYS и другие среды"


 Номер доклада
 


Сравнительный анализ результатов расчетов в различных программных пакетах
на примере моделирования полосового фильтра на объемных резонаторах

В данной работе описывается методика моделирования полосового фильтра (ППФ) на частоты свыше 10 ГГц на объемных резонаторах с заданными характеристиками. Данный фильтр моделируется в двух программных пакетах: CST Microwave Studio и Ansoft HFSS. Основной задачей данной работы является сравнение работы и методов расчета данных программных пакетов на примере моделирования полосового фильтра.


Докладчик Мазов Василий Николаевич
Качайкин Виталий Владимирович
 

Доклад в формате документов google
https://drive.google.com/open?id=0B-uv7Rzaa8RvN2F1TG9ZTGJ4U3M

Доклад отдельным файлом в формате ppt  https://drive.google.com/open?id=1d8q3nIoLdmhfkjdZpQvIiPs3etQ5wsjB2ocHFE3qJXgТопология  фильтраРезультат
моделирования




Краткие сообщение (формат -3 минуты)
Моделирование эффективной границы в средах MathCAD и FlexPDE
В данной  работе задача о нахождении эффективной границы решалась с помощью двух программных пакетов: Mathcad и FlexPDE. 
Качайкин Виталий Владимирович
Мазов Василий Николаевич
https://drive.google.com/open?id=0Bx1UivgXf47DaTY3UUh2RF9DcG8 


Доклад отдельным файлом в формате ppt Топология моделируемой структуры
 в среде FlexPDE
Распределения концентраций электронов
 в среде FlexPDE и MathCAD




ВНИМАНИЕ! 
Есть трудности голосования с хрома


ПОРЯДОК ГОЛОСОВАНИЯ
  • 1.       Поставить метку против ФИО
  • 2.       Кликнуть на кнопе ГОЛОСОВАТЬ

 
 


или


Ссылки:
Страница опроса: http://www.rupoll.com/thheqylhsp.html
Страница результатов опроса: http://www.rupoll.com/thheqylhsr.html






В семинаре 19-го декабря 2016г  планируется участие:


Eugen Hollmann, senior scientist,  forschungszentrum  JULICH.


Проф. Сташкевич  А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France:  

  • Иванов В.Л. зав. каф. АБиТП, декан ФХКТК ИТМО
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Устинов А.  д.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Михайлов Н.И. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar
  • Кондрашов Александр  к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Андрей Дроздовский к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Lisova Elena Vasilevna Mälardalen University, Sweden


Семинар проводится в рамках  учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике”

На семинаре присутствовало ...  человек.

БЛАГОДАРНОСТИ

Анну за организацию трансляции семинара.

Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон


Фотография 100Х133 96на дюймДокладчикСлайд 1 ширина 200Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt Подпись к слайду 1Подпись к слайду 2


Семинар 30. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 15 дек. 2015 г., 8:26 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 16 дек. 2015 г., 1:36 ]

Интернет  - семинар. 
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype и youtube трансляция.

Технические правила: 
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.


ВНИМАНИЕ!

ССЫЛКА   для просмотра по трубе будет тут https://www.youtube.com/watch?v=gvGpaf1U_SU



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1

Моделирование GaN HEMT в среде Synopsys Sentaurus TCAD

Выступает: студент группы 1201 Куртеев Егор Евгеньевич (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Рецензент: аспирант кафедры КЭОП Васильев Александр (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")

Приводится описание принципов работы транзистора на основе структур AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN. 
В работе производится моделирование транзистров в среде Synopsys TCAD, а так же сравнение и анализ полученных данных.


Докладчик: Куртеев Егор Евгеньевич



Васильев Александр

Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор"
Скачать доклад тут:

Доклад в формате документов dropbox 


Структура GaN HEMT 2DEG в GaN HEMT



Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "



 Номер доклада
 2



Разработка программы в среде LabView, 
моделирующей работу вакуумной системы для изготовления изделий микроэлектроники


В работе представлена разработка программы, моделирующей работу вакуумной системы, предназначенной для изготовления изделий микроэлектроники.
Произведено моделирование системы откачки, системы нагрева и магнетронной распылительной системы. 
Программа может использоваться в качестве лабораторной для обучения студентов.


Бабинов Н. А.



Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/mu4N2mJSmDzPk
Моделируемая установка Рабочая панель программы




Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 



 Номер доклада
 3

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БУФЕРНЫМ СЛОЕМ 
НА ОСНОВЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlAs/GaAs В СРЕДЕ Synopsys Sentaurus TCAD

В работе моделировалась структура полевого транзистора с затвором Шоттки в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе сверхрешетки (AlAs/GaAs)x10. 



Киселев Александр Сергеевич

 


Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/2DKAJ88DmEAtk
Температура электронов Вольтамперная характеристика





Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 4

Cравнительное моделирование MESFET в среде SYNOPSYS TCAD

В работе моделировалась структура MESFET в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD. 
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе AlGaAs. 
Было проведено сравнение результатов моделирования, используя диффузионно-дрейфовую и гидродинамическую модель, изучено влияние слоя AlGaAs, 
построены распределения: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, а также ВАХ  для  полупроводниковой структуры.



Семилетова О.И


 


Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://yadi.sk/d/1kI76IslmFRqz
Техническое задание Вольтамперные характеристики



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 5


Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD

Выполнено сравнение  экспериментальных данных  ВАХ с результатами, полученными с помощью SYNOPSYS SENTAURUS TCAD. 
Выяснить влияние концентрации слоя ALAS/GaAs на вид характеристик


Бажан Марина Михайловна



Семилетова Ольга Игоревна



Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://yadi.sk/i/qsvAtuelmFU7a

Тология моделируемой структуры Сравнение модели с экспериментом



Краткие сообщения


1. Лабораторная работа:  Моделирование pin-диодов в среде synopsys TCAD

Смородин Владислав https://drive.google.com/open?id=0BxWAUWOpmvCoMTlhdk9lYkpGWG8


2. Лабораторная работа: Разработка электронных устройств в среде 

SYNOPSYS SENTAURUS TСAD 

Щукин Дима   https://drive.google.com/file/d/0B8iot9L1FqGoOTR5OXpKekJ0SUk/view


3. Лабораторная работа: Многозатворная ЭНП в среде 

Synopsys Sentaurus TCAD

Паничев Ярослав


4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ, СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ

Ирина Александровна Устинова   https://yadi.sk/i/gGS6xzzxmFVZZ


В семинаре  планируется участие:


                Eugen Hollmann, senior scientist,  forschungszentrum  JULICH.


Проф. Сташкевич  А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France:  
  • Устинов А.  д.ф.-м.н
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Михайлов Н.И. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar 


Семинар проводится в рамках  учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике”

На семинаре присутствовало 30 человек.

БЛАГОДАРНОСТИ

Диме Щукину за организацию трансляции семинара.

Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2

Семинар 29. Лекции

Отправлено 10 нояб. 2015 г., 8:08 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 8 дек. 2015 г., 12:56 ]

Интернет  - семинар. 
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype и youtube трансляция.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Лекция 1

Семинар проводится в рамках 
учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике”

В вторник 3-го ноября 2015 года  в 21_30 состоится семинар:  
Технологии доступа к сетевым ресурсам кафедры ФЭТ 
Докладчик Чернов А., Попов Д.
Присутствовать на семинаре и задавать вопросы можно по ссылке https://www.youtube.com/watch?v=HDI7s5XRsAs.

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Лекция 2

В вторник 10-го ноября 2015г  в   21_30 проводится интернет семинар

Семинар проводится в рамках 
учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” и в рамках следующих 
проектов ИТМО:

  1. «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МУЛЬТИФЕРРОИДНЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРАХ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ И РАДИОФОТОНИКЕ» (МЕЖДУНАРОДНАЯ ЛАБОРАТОРИЯ) 
  2. «Краткосрочные международные учебные модули академической мобильности» по направлению: “Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники".


Планируется доклад 

Проф. Сташкевич  А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France:  
“Наноразмерные магнитные носители информации”.  
Присутствовать на семинаре и задавать вопросы можно по ссылке https://www.youtube.com/watch?v=HDI7s5XRsAs. 
Т.е. если Вам не позвонили по техническим причинам по Skype, Вы задаете вопросы и принимаете участие в семинаре оп каналу youtube!   
Возможно уточнение ссылки в 21_15. УТОЧНЕНИЕ --- https://www.youtube.com/watch?v=zRXYsWrxRso
  --       

ВНИМАНИЕ!
  1. Крайне желательно объявить об участии в семинаре до 21_01 по скайпу.
  2. Требуется скопировать текст доклада себе на компьютер!
  3. Не звоните самостоятельно по скайпу!
  4. Если Вы участвуете в семинаре по скайпу, убедительная просьба не включать youtube.

Семинар записан по адресу http://www.youtube.com/watch?v=zRXYsWrxRso&feature=em-uploademail  Первый  52 – и  минуты записи - технологические, следовательно семинар следует смотреть с 53-ей минуты . Запись будет актуальна до 16 ноября 2015г.

На семинаре присутствовало 50 человек.


Лекция 3

В вторник 8-го декабря 2015г  в   21_30 проводится интернет семинар

“Напряженные эпитаксиальные сегнетоэлектрические пленки”
  Eugen Hollmann, senior scientist,  forschungszentrum  JULICH.

Доклад можно скачать по ссылке: https://drive.google.com/open?id=0ByJ9EHpob0yaZnNYbGs0aEhrX0U

Участие в семинаре доступно по следующим технологиям:
  • 1.      Skype – технология.  Необходимо зайти в skype до 21_00, сообщить об участии в семинаре – vadimvp (skype name) скачать доклад и ЖДАТЬ звонка.  Если звонка в 21_30 не последовало – перейти на второй вариант. Самостоятельно не звонить. Если Вы участвуете в семинаре по скайпу, убедительная просьба не включать youtube.
  • 2.      Технология – Youtube. Зайти на сайт   http://www.1024.ru/online-seminar/temy-seminarov/seminar29lekcii. Скачать доклад.  В 21_15 по ссылке указанной тут http://www.youtube.com/watch?v=NYtzUkx1FnI  подключиться к каналу Youtube, зарегистрироваться, слушать и смотреть доклад с 21_30. Вопросы задавать в чате.

Необходимы сообщения буду на этой странице  

ВНИМАНИЕ!

НОВАЯ ССЫЛКА   http://www.youtube.com/watch?v=NYtzUkx1FnI 


Семинар проводится в рамках  учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике”

На семинаре присутствовало 50 человек.

БЛАГОДАРНОСТИ

Диме Щукину за организацию трансляции семинара.

Семинар 28. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 17 дек. 2014 г., 9:08 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 22 дек. 2014 г., 5:18 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 18-го декабря 2014г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.




Отзыв на семинар:


Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1

CMOS Image sensor pixel design based on Modified Internal Gate FET
Приглашенный доклад


Марочкин Владислав
Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology




Дизайн пикселя для КМОП фотоматрицы:
-       Дальность детектирования объектов в 2.8 раза дальше.
-       Детектируемый диапазон от 380 нм до 950 нм.
-       Фотоматрица не может быть “ослеплена” с помощью лазерной указки или любых источников ИК излучения.
-       Высокая контрастность изображения.
-       В отличии от современных фотоматриц, для производства могут применяться стандартные КМОП производственные линии, делая производство дешевле и легче.
- Технология применима не только для кремния, но и для таких материалов как SiGe, Ge, AlGaAs, SiC и других.
http://www.pixpolar.com/technology/

Доклад в формате pdf.

Плакат в формате pdf.




 Номер доклада
 2

Моделирование туннельного транзистора на основе графена

В  работе рассматривается моделирование туннельного полевого транзистора на основе графена. Получены вольт-амперные характеристики для моделированных структур.


Градобоев Максим
Попов Александр
0207 ЛЭТИ СБП



Доклад в формате pdf
https://drive.google.com/file/d/0BygATmoudUmLNmk4WDVxQm5PM1E/view?usp=sharing 
Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://drive.google.com/file/d/0BygATmoudUmLT1RzaDNMYUlyeE0/view?usp=sharing 
Моделируемая структура туннельного полевого транзистора ВАХ моделируемого транзистора


Краткое сообщение

 Номер доклада
 3

Пьезоэлектрический МЭМС резонатор

В работе рассматривается источник опорной частоты состоящий из схемы усилителя, в цепь обратной связи которого включен пьезоэлектрический мэмс резонатор. Моделируются механические колебания резонатора.



Волынкин Сергей
9208 ЛЭТИ
TU Ilmenau








.


Доклад 
https://yadi.sk/i/7hc0KZpBdTJ2j 
Ссылка на анимацию 1
https://yadi.sk/i/EKUwqvuldTJ2h
Ссылка на анимацию 2
https://yadi.sk/i/qOhaYrU4dTJ2f
Ссылка на анимацию 3
https://yadi.sk/i/Da-4GicPdTJ2d

Концепт интегрированного
 генератора опорной частоты
на основе мэмс резонатора
Формы собственных колебаний



Секция 2
" LabVIew  реализации"

 Номер доклада
 4

Притяжение решений систем уравнений Лоренца

В работе рассматриваются две связанные системы нелинейных дифференциальных уравнений, 
решениями которых является хаотический сигнал. Одна из этих систем является ведущей, а другая - ведомой,
решение которой "притягивается" к решению ведущей системы. 
Исследуется возможность  передачи хаотического сигнала в акустическом диапазоне.  

 
Арина Кремлёва
Карзин Виталий
0291 ЛЭТИ СБП




Доклад
http://rghost.ru/59778127 pdf
http://rghost.ru/59777858





Краткое сообщение


 Номер доклада
 5

Моделирование транзисторной структуры в среде FlexPDE

Моделируется двухзатворная транзисторная структура, рассчитывается концентрация носителей заряла, потенциал и напряженность электрического поля на основе диффузионно-дрейфовой модели в среде FlexPDE.

Калитухо Инна
0291 ЛЭТИ СБП
.. ..


Доклад в формате pdf
http://vk.com/doc64075511_351090004



.. ..


Трансляция звука   http://cybergame.tv/keizi (возможна реклама)
Спасибо Байкову Павлу


Благодарности:

Чернову Андрею за обеспечение работы вычислительных серверов!



В семинаре 18 декабря 2014 планируется участие:





  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция
  • Stanislav Moshkalev, PhD, Vice-. director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ИТМО С.Петербург
  • Черкаский А.к.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Кондрашов Александр  к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Попов Дмитрий ас..ЛЭТИ
  • Андрей Дроздовский к.ф.-м.н.ЛЭТИ
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.нЛЭТИ
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
  • Михайлов Н.И. к.ф.-м.н. ЛЭТИ
Участники семинара Группа Результаты референдума 
по курсовым работам
Алексей Никтин 9207 Финляндия
Арина Кремлёва 0291 163
Градобоев Максим 0207 151
Игорь Захаров 0294 147
Паничев

Смородин Влад

Карзин Виталий 0207 150
Дмитрий Романович 0291 154
Дмитрий Щукин 1207
Попов Александр 0207 151
Байков Павел 0207 150
Любимцев Роман 0207 150
Кандил Саидзода 0207
Терехов Александр 0207 105
Александр Швандеров 0294
Волыкин Сергей 0208 Германия
Глазунов Александр 0207 150
Шевченко Сергей 0201 156
Марочкин Владислав

Васильченко Александр 0294
Калитухо Инна 0291 160
Василик Антон 0207 105
Артеев Дмитрий 0291 150




Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2



Семинар 27. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 19 дек. 2013 г., 7:46 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 19 дек. 2013 г., 11:00 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 19-го декабря 2013г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.


Отзыв на семинар:

 Номер доклада
 1
Влияние шума на притяжение решений систем уравнений Лоренца

В работе рассматриваются две связанные системы нелинейных дифференциальных уравнений, 
решениями которых является хаотический сигнал. Одна из этих систем является ведущей, а другая - ведомой,
 решение которой "притягивается" к решению ведущей системы. Исследуется влияние  помехи на характер
 "притягивания" решений данных систем уравнений.

. .Докладчик:.магистр 1-го курса Всеволод Симон. .. .

. .
Доклад в формате документов google 

https://docs.google.com/file/d/0B-Ml4ekIwFdhQ29mOHFTNHYyOUU/edit?pli=1
Доклад отдельным файлом в формате ppt 
http://zalivalka.ru/file_actions/83321/ea628ad7
9643cd6273c81c17dd0289ae/edit
Панель виртуального прибораФазовый портрет решения



 Номер доклада
 2
Создание многослойных структур методом ионно-плазменного магнетронного распыления.
Докладчик:.магистр 2-го курса Александр  Марков    8207


 Номер доклада
 3
Моделирование режима встречного переизлучения мощности для нормальных волн в среде LabView 

В данной работе была разработана программа в среде LabView, реализующая режим встречного 
переизлучения мощности для нормальных волн. Данная программа позволяет рассчитать основные 
параметры данного режима, а также, с учетом введенных параметров, строит пространственное 
распределение мощностей для различных видов рассогласования. 
. .Докладчик: Никитин Алексей Александрович, группа 9207. .. .
Оппонент_Анохин А.С. .
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/file/d/0BxYS5
mpywgDUT2hoUjVYNGt3emc/edit


Доклад отдельным файлом в формате ppt
http://rghost.ru/51041735 
.Панель управления . Распределение нормированных мощностей 





 Номер доклада
 4
Моделирование полевого транзистора на ленточном графене
В работе рассматривается полевой транзистор на ленточном графене. 
Докладчик:.магистр 1-го курса Денис Бова






 Номер доклада
 5
Моделирование режима встречного усиления в среде LabVIEW
. .Докладчик:Анохин А.С.. .. .
Оппонент - Никитин Алексей Александрович, группа 9207. .
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/file/d/0B6h
_pr21Jldubmc0NzVlUjN5YjQ/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt  https://docs.google.com/file/d/0B6h_pr21Jldubmc0NzVlUjN5YjQ/edit. .. .





 Номер доклада
 6
Моделирование режима попутного усиления связанных мод
В работе получен макет для получения зависимостей переизлучаемой мощности 
в режиме попутного усиления связаных мод в условиях однородной связи. 
Данный режим характерен тремя возможными подрежимами, условием д
ля которых является коэффициент фазового рассогласования.
. .Докладчик:Мартынов М.И. Гр.9207. .. .
оппонент Горохов А. А. .
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/presentation/d/1eDF
5QQsbVHN4PJu32vFhPhEtUmFh4qLbQvrJTNF7hBU/edit?usp=sharing


Доклад отдельным файлом в формате ppt  http://rghost.ru/51072197. .. .



 Номер доклада
 7
Моделирование режимов попутного усиления и попутного 
переизлучения для параметрической связи в среде LabVIEW

В работе было проведено моделирование режимов попутного усиления и попутного 
переизлучениядля параметрической связи в среде LabVIEW.
Получены распередления мощности в области связи для режимов 
попутного усиления и попутного переизлучениядля параметрической связи.
Докладчик:.магистр 1-го курса 9207 Волынкин С.В.


 Номер доклада
 8
Дисперсия нормальных волн недиссипативной системы  в результате связи двух мод
Докладчик:.магистр 1-го курса Шариков И. П.,



Моделирование режима переизлучения мощности для параметрической связи  в среде LabView
Докладчик:.магистр 1-го курса.Горохов А. А. Группа 9207

Литературный обзор:  "Графен в энергонезависимой памяти"
Докладчик:.магистр 1-го курса. Шарипова И.А.

Моделирование процессов пищевой промышленности в среде LabView
Докладчик:.магистр 1-го курса Самсонова И.И.







Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюймДокладчикСлайд 1 ширина 200Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt Подпись к слайду 1Подпись к слайду 2



Семинар 27. Нанотрубки. Графен.Технология. Floating gate memory

Отправлено 8 окт. 2013 г., 12:48 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 8 окт. 2013 г., 13:17 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 8-го октября 2013г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.

Технические особенности работы семинара:
Создается две скайп-конференции (активная и пассивная). В состав активной входит преподавательский состав, а также первые две группы докладчиков с оппонентами (выбранная по общему решению). В составе пассивной входят все студенты, которые предоставили свои работы на сайте и желающие задать вопрос защищающимся. Голосовая связь постоянно поддерживается только с первой скайп-конференцией (активной). Первые докладчики после ответов на вопросы сами удаляются из активной скайп-конференции и остаются в пассивной. Следующие докладчики будут добавлены Лебедевым Андреем Владимировичем в активную скайп-конференцию из пассивной. Желающие задать вопросы пишут их в чате пассивной скайп-конференции. 

Удаление из активной скайп-конференции каждый участник выполняет сам лично (нажимаем на вкладку сверху Разговоры->Выйти из разговора). 

Технические правила: 
Иметь гарнитуру или наушники, чтобы не возникал шум. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.


Трансляция звука   http://ru.twitch.tv/31it3d
Спасибо Байкову Павлу


1. Сообщение о работах в director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil.

Нанотрубки. Графен.Технология. Floating gate memory. Пост образование.

                Stanislav Moshkalev, PhD, Vice-. director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil 

Доклад: https://drive.google.com/folderview?id=0ByJ9EHpob0yaVEFncVg1eXlqOEk&usp=sharing


2. Краткое сообщение о образовании в Франции.  

                Сташкевич  А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France

3. Краткое сообщение об образовании в Финляндии и работах в области  моделирования в среде Synopsys TCAD

                Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project   Manager R&D at Pixpolar Oy

4. Несколько слов о работе в Германии

                Марков Александр  магистр гр.  8207


Семинар 25. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 12 дек. 2012 г., 0:35 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 17 сент. 2013 г., 8:42 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 20-го декабря 2012г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE и среде Synopsys TCAD. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.


Отзыв на семинар:

Михаил Давидович Парнес, доктор наук,  главный инженер ООО "Резонанс"
Скайп-конференция это очень интересное начинание, современное.Прослушал несколько докладов.Опыт , получаемый при  общении и обсуждении  студентами очень важен для их профессионального роста. Ценю труд , который потребовался для организации семинара.   

Левицкий Алексей Александровичк.ф.-м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет" 

C большим интересом ознакомился с материалами, представленными в рамках Интернет-семинара «Компьютерные технологии в твердотельной электронике».

Используемые информационные технологии соответствуют подходам, все шире используемым в научной среде. Тематика работ - от компьютерного моделирования полупроводниковых приборов до задач сопряжения компьютера с микроконтроллерными системами и приборами представляет несомненный интерес. Надеюсь на продолжение работы семинара и планирую в 

дальнейшем принимать в нем участие .


Leo Malkenson - USA Principal engineer, Escher Group, Boston, MA

This seminar is a very neat idea and it should definitely be kept up. A well known, though, of course, not trivial, Web technology like Skype was leveraged to bring together bright young and mature scientists from different corners of the world. I was impressed by the sophistication of the presented work. As a computer professional and a former physics major, I was pleased to see the use of the latest computer technology in addition to a very serious experimental work and theoretical analysis.




ДОСКА   ПОЧЕТА   2012
 
1244
 Соколов Е.  Степанов В.  . Лебедев А. 
 Терентьева В.  Свистунов А. Яковлев В. Архипов С.




 C наступающим новым 2013 годом!!!







Технические особенности работы семинара:
Создается две скайп-конференции (активная и пассивная). В состав активной входит преподавательский состав, а также первые две группы докладчиков с оппонентами (выбранная по общему решению). В составе пассивной входят все студенты, которые предоставили свои работы на сайте и желающие задать вопрос защищающимся. Голосовая связь постоянно поддерживается только с первой скайп-конференцией (активной). Первые докладчики после ответов на вопросы сами удаляются из активной скайп-конференции и остаются в пассивной. Следующие докладчики будут добавлены Лебедевым Андреем Владимировичем в активную скайп-конференцию из пассивной. Желающие задать вопросы пишут их в чате пассивной скайп-конференции. 

Удаление из активной скайп-конференции каждый участник выполняет сам лично (нажимаем на вкладку сверху Разговоры->Выйти из разговора). 

Технические правила:
Иметь гарнитуру или наушники, чтобы не возникал шум. 
При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса.

Трансляция звука   https://sites.google.com/site/fet5486/chat 



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 


 Номер доклада
 1
Моделирование инвертора в среде Synopsys Sentaurus TCAD

В данной работе схема CMOS  инвертора моделировалась на базе nCMOS и pCMOS транзисторов. Расчеты инвертора получены в результате описания в программе расчета для Sentaurus TCAD. Получены переходные характеристики инвертора. Вольт-амперные характеристики nCMOS транзистора.

Архипов Сергей Владимирович Докладчики
Ноздрин Иван  Анатольевич Оппонент 

Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
Доклад в формате документов google 

https://docs.google.com/open?id=0BxQRh_KVHJcBZkZMVXVQbDRSNzg

Доклад отдельным файлом в формате ppt  

http://goo.gl/t3rox

Слайд 1.Схема с названиями
узлов
Слайд 2. Входное и выходное
напряжение  от времени



Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "



 Номер доклада
 2

"Управление микроконтроллером в среде LabVIEW"

В работе рассматривается способ управления внешним устройством в среде LabVIEW. Реализовано управление шаговым двигателем с помощью специально изготовленного драйвера, созданного на базе микросхемы LB1649, и  микроконтроллера AVR ATMega328P, подключённого к ПК с помощью переходника USB-COM на основе микросхемы FT232RL. Использование микроконтроллера позволило упростить алгоритм программы на стороне LabView.

Дворецкий Никита
Докладчики
Богданов Василий Оппонент
Басков Алексей
Документы в google docs:
Презентация:
https://docs.google.com/open?id=0B5XNMrwE9asgOElVWDNrbnJIakk
PDF:
https://docs.google.com/open?id=0B5XNMrwE9asgZ1pLVENIZktPRG8
Доклад отдельным файлом http://rghost.ru/42291240 Алгоритм Панель управления в среде LabVIew



Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"


 Номер доклада
 3
Моделирование полевого транзистора с буферным слоем в среде FlexPDE

В работе рассматривается задача моделирования полевого транзистора Шоттки с буферным слоем в среде FLexPDE с затвором углублённым в активный слой. Исследуется влияние длины затвора на распределение концентрации и потенциала в транзисторе
Можаев Е.В. Докладчики
Жаботинский А.В. Оппонент
Степанов В,А,
Доклад в формате документов 
https://docs.google.com/file/d/0B6ni-_7GhVptRDBKYkdvbDE1Nm8/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/vtxc2114abho6v8/FET2_FlexPDE.ppt
Распределение потенциала в транзисторе в зависимости от длин затворов. Распределение концентрации (нормированной к концентрации в активном слое) в транзисторе в зависимости от длин затворов



Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" 

 Номер доклада
 4

Моделирование MESFET с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD

В данной работе изучается влияние толщины и уровня легирования буферного слоя в ПТШ на его характеристики. Также подбираются параметры буферного слоя, обеспечивающего защиту от проникновения тока в подложку, для ПТШ с заданными параметра

                               Терентьева Валентина Николаевна Докладчик

Оппонент
Соколов Егор
Доклад в формате документов google 
pdf 
https://docs.google.com/open?id=0B2ucXNz8KQKMUUEtRlVI
aVNKQmM 

ppt 
https://docs.google.com/open?id=0B2ucXNz8KQKMVzJhejVw
YmtpWWM 

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
http://rghost.ru/42309917
Зависимость ВАХ ПТШ от толщины 
буферного слоя при разных уровнях 
его легирования
Зависимость ВАХ ПТШ от уровня 
легирования  буферного слоя толщиной 1.9 мкм






 Номер доклада
 5

Исследование зависимости вольт-амперной характеристики полевого транзистора Шоттки от свойств буферного слоя 


В работе исследуется зависимость ВАХ ПТШ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. На основе исследованной  литературы была составлена топология максимально приближенная к реальной. Размер затвора 0,5 мкм, толщина буферного слоя 1мкм, активной области 400нм. В процессе моделирования исследованы два ПТШ с разными толщинами буферного слоя. Наблюдается рост ВАХ при увеличении концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Рост имеет пороговый характер: значительное увеличение происходит после n =1 ∙ 10 15 см -3 . Эффект наблюдается в обоих исследованных структурах.


Андрей Одинец  Докладчик

Оппонент
Павел Сомов
Доклад в формате документов
 google 
https://docs.google.com/presentation
/d/1XD5VLbYKaVv7alihf_RPxExr6Z6H
Y5V9XRLclN7M18Q/edit#slide=id.p

PDF
https://docs.google.com/file/d/0Bxsq2
2U1pPFyWTV2ZngyOUJONEE/edit

Доклад отдельным файлом в формате ppt  
http://files.mail.ru/3UK1M5
ВАХ ПТШ с буфером 1мкм при различных концентрациях свободных носителей заряда в буферном слое Топологии моделируемых транзисторов




 Номер доклада
 11


"Моделирование полевого транзистора Шоттки в среде SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"

"В работе представлено моделирование транзистора Шотки с буферным слоем, который обеспечивает защиту от проникновения тока в подложку. В процессе моделирования были рассмотрены различные варианты толщин буферного слоя и концентраций легирующей примеси в нем. По итогам работы была определена оптимальная степень легирования и толщина буферного слоя для обеспечения защиты от проникновения тока в подложку."

OLYMPUS DIGITAL CAMERA         Свистунов А.Н.

 Оппонент
Можаев Е.В.
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtUU1fNGNsL
VlPZVU


https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtZHNkQmFBU
EFFREU
Доклад отдельным файлом в формате ppt http://goo.gl/IVeKp топология моделируемой структуры распределения плотности тока 
и плотности тока электронов 
в структурах с буферными 
слоями 0,5 и 0,6 мкм



 Номер доклада
 12

Исследование влияния концентрации свободных носителей заряда в буферном слое на вольтамперную характеристику ПТШ

В работе рассматривалось влияние концентрации свободных носителей заряда в буферном слое на ВАХ полевого транзистора Шоттки. При толщине  буферного слоя 0.2мкм наблюдаются максимальные значения тока стока.


Дмитрий Скворцов Докладчик

Оппонент
Архипов С.В.
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com
/open?id=0B09A1KPsVwE0bH
dGaEJVNGxQNU0



Доклад отдельным файлом в формате ppt
http://yadi.sk/d/-Jm5-zs51HOlf 
Топология моделируемой 
структуры ПТШ
Распределение свободных 
носителей заряда под затвором





Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам  в среде LabVIew "




 Номер доклада
 6

"Автоматизации измерений параметров радиоимпульса"


В докладе рассмотрена возможность измерения параметров радиоимпульса с применением технологии  удаленного доступа  реализованного  в среде LabVIew.
Программа считывает  радиоимпульс  через  специализированный осциллограф  и производит расчет параметров считанного  радиоимпульса.

Степанов В.А.  Докладчики
Лебедев А.В.  ОппонентOLYMPUS DIGITAL CAMERA         Свистунов А.Н. 
Доклад в формате документов google  
https://docs.google.com/open?id=0B9tAeDJy_Xc9U3g2aC1ReEIxNWc

https://docs.google.com/open?id=0B8Xa1L6bijFtZHNkQmFBUEFFREU


Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/mhcjo3cdseu6s
9v/Stepanov%26Lebedev.ppt
Пользовательский 
интерфейс программы
Блок схема программы в среде LabView




 Номер доклада
 7

"Определение собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора"

Для исследования собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора  использовались микрофон и динамик, подключенные к компьютеру. В программе LabView 8.6 разработана программа  воспроизведения звука заданной частоты и обработка принимаемого  микрофоном сигнала. Исследовалась  зависимость частоты собственных мод от температуры.  


Седельников В.В.

Оппонент Кузнецов И.

Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B-1jZ2zFeww8YTFEZGZBSTNiN1k/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt
https://www.dropbox.com/s/tykpw1oxde83
fce/Kyrsovaia_rabota_Sedelinikov.pdf

 
Зависимость резонансной частоты 
 от температуры
Панель управления



 Номер доклада
 8


"Работа с web камерой в среде LabView - учебный фильм"

В докладе рассмотрен алгоритм подключения Web камеры в среде LabVIew c  
последующей простейшей обработкой изображения. Рассмотренный элемент  системы машинного зрения 
может применяться для  бесконтактного измерения  геометрических размеров, контроля и идентификации 
изделий, диагностики и контроля монтажа элементов  печатной платы.

Яковлев В.Г Докладчики
SONY DSC                       Плешков Д

Учебный фильм


Доклад в формате документов google  https://docs.google.com/open?id=0By5VYu_3QgKsU0VlUmo5U0VCdFE
Доклад отдельным файлом в формате ppt https://docs.google.com/file/d/0By5VYu_3QgKsc0RvNTNoaHNZU1U/edit
Блок схема





 Номер доклада
 13

"Детектирование изменений границ объектов в среде LabView"

В данной работе рассмотрен алгоритм детектора движения реализованный  в среде  Labview. Детектирование движения происходит  сравнением 2-х контуров изображений, поступающих с веб – камеры в режиме реального времени. Для построения контуров использован оператор Кэнни, который позволяет исключить влияние смены освещенности. Алгоритм работы оператора "Кэнни" основан в формировании контура границы  из точек максимума градиента изображения.

Ефимов Юрий Витальевич 8294 Докладчики
Афанасьев Андрей Юревич 8294  Оппонент
Бурчикова Ирина Алексеевна 8293
Доклад в формате документов google 
pdf:
https://docs.google.com/file/d/0B_J9i9JvjpPSVEF3NU
doNGtQQXM/edit

ppt:
https://docs.google.com/file/d/0B_J9i9JvjpPSbDNxcW
95VWJsRUE/edit


Доклад отдельным файлом в формате ppt [ ] Панель управля параметрами 
фильтра Кэнни
Блок схема LabVIew. 1)Подключение web-камеры 2)построение контуров Кэнни 3)Операция определения движения






 Номер доклада
 14

Организация связи между компьютером и микроконтроллером в среде  LabView

В  работе осуществлено управление периферией  и обмен данными между микроконтроллером AVR ATmega8 и ПК, при помощи  пакета LabView. Связь между ПК и микроконтроллером  осуществлена по стандарту RS-232, через последовательный COM порт. В курсовой работе отслеживалась температура и строился её график. При повышении температуры заданного значения, производилась информирование пользователя, то есть, реализован простой пропорциональный регулятор.  Программа может применяться  в системах автоматизированного управлении.

Рогожин К.В Докладчик

Учебный фильм



Доклад в формате документов google  

https://docs.google.com/open?id=0B8Xi5kdj8NQUVm43c3V1UThpejQ
Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://www.dropbox.com/s/vtxu4esj74c6tct/li
nk%20between%20MK%20and%20PC%28pdf%29.pdf


Доклад отдельным файлом в формате pdf





 Номер доклада
 15

"Модуль  управления   пикоамперметром фирмы Keithley.  Изучения вольт-амперных характеристик мощных синих светодиодов на основе InGaN/GaN" 

В докладе представлена программа, выполненная в среде LabView, для измерения вольт-амперных характеристик мощных синих светодиодов на основе InGaN/GaN при помощи пикоамперметра фирмы Keithley, разработанная в ходе выполнения курсовой работы. В программе предусмотрены: возможность сохранения результатов в файл, возможность изменения: шага измерений, количества повторений одной точки, времени установления сигнала. Графики приводятся в линейном и логарифмическом масштабах.

. Тальнишних Н 8291 Докладчик

Сокура Лилия - оппонент
Доклад в формате документов google https://docs.google.com/open?id=0B0fzi_5Oo4-wcVItZGFnNUtfdWM
Доклад отдельным файлом в формате ppt https://docs.google.com/open?id=0B0fzi_5Oo4-wNmFpeFBWaUFoT1k Слайд 1 Измерительная часть блок схемы программы Пользовательский интерфейс



 Номер доклада
 16

"Распознавание образов в среде LabView. Измерение параметров прямоугольника с внешнего JPEG-изображения"

Разработана программа, которая анализирует внешний рисунок (JPEG-файл) и измеряет параметры  изображённого на нём прямоугольника. Для построения программы использовался стандартный инструментальный набор LabView.  От пользователя требуется задать путь к исходному файлу и расставить курсоры на графиках. Все остальные вычисления и построения  выполняются автоматически.


Сокура Лилия Александровна Докладчик

Оппонент
 Тальнишних Надежда Андреевна
Доклад в формате документов google 

https://docs.google.com/open?id=0B9Pq9t3TT5YydGpOT2NNN3pRc3c


Доклад в формате ppt 

https://docs.google.com/presentation/d/1cqlv
3ccbiaO09fvcZ23s_I8YRvXAPCDze_2arCdUT_U/edit
Блок-схема программы
Внешняя панель программы






 Номер доклада
 19

Выделение полезного сигнала на фоне структуроподобной помехи
The selection of the desired signal to background noise with spur interference

В работе рассматривается задача выделение полезного сигнала на фоне помех в среде LabVew. 
Исследуется способность фильтрации очень близких сигналов.

БУЙ М.Туан.  Докладчик


Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/presentation/d/1reoe-nMdsZvq00ITM4adoI4rXcIcFJf8BHZeImigRmY/edit#slide=id.p28

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://www.dropbox.com/sh/rdihdusgdrv5opv/Db5ocOmRrc
Интерфейс программы





Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"


 Номер доклада
 9

Исследование скорости сходимости в задаче моделирования MESFET

Проведено исследование скорости сходимости в задаче моделирования полевого транзистора шотки 
в специализированной среде FlexPDЕ для версии программы «FlexPDE 5. 1. 0s Student Version» 
с использованием уравнений Пуассона и непрерывности.  Выяснена причина возникновения всплесков 
напряженности при правильных граничных условиях и возможности 
 уменьшения всплесков.

Соколов Егор Владимирович Докладчик 

Оппонент
                               Тереньтьева Валентина Николаевна
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B5kfYAY
JzUrBQm5WaEp4UFpkSDA/edit
ppt
https://docs.google.com/file/d/0B5kfY
AYJzUrBdUd2a09yaHpEUWc/edit

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
https://www.dropbox.com/s/ce64phyiddex7o
u/Prezentatsia_Sokolov_E_V_gruppy_8294.ppt
Распределение напряженности 
для правильных граничных 
условий с явными всплесками 
на закруглениях.
Распределение напряженности 
с отсутствием всплесков 
на закруглениях.


 Номер доклада
 10

Расчет эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки

В работе рассмотрено влияние полескоростной характеристики кремния при
расчете эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки.
Вычисления распределения концентрации произведено в среде FLEXPDE, 
положение эффективной границы определено в среде MatCAD.


Басков Алекей  Докладчик

Оппонент
Дворецкий Н.Е.
Доклад в формате документов google 
pdf: 
https://docs.google.com/open?id=0B-1jZ2zFeww8VC1PLXRWMlhhQ1U
ppt: 
https://docs.google.com/open?id=0B-1jZ2zFeww8VmRYZ2tqOXdOaWM

Доклад отдельным файлом в формате ppt 
http://rghost.ru/42317528
Распределение концентрации 
электронов
Линейная аппроксимация
 распределения концентрации электронов


 Номер доклада
 17

Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE

В работе рассматривается задача моделирования многослойной структуры ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE. Был сделан ряд приближений и получены распределение потенциала, концентрации и напряженности поля в пределах построенной структуры.


Суербаева Н.Р. Докладчик
 Ермаков С.Д. Оппонент
Седельников
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B6ni-_7GhVptVTVTSW1NVkI4NTg/edit?pli=1 
Доклад отдельным файлом в формате ppt 

https://www.dropbox.com/
s/vxgub67z9awepqe/FET.pdf
Вычислительная сетка Результат моделирования – 
многослойная структура ПТШ




 Номер доклада
 18

"Моделирование полевого транзистора   с буферным слоем и  
углубленным затвором в среде  FlexPDE" 

В работе рассмотрены результаты моделирования модели ПТШ с буферным слоем. 
Затвор ПТШ углублён в активный слой.

Горицков  Пётр Никитич

 Оппонент
Попов Дмитрий  Александрович
Доклад в формате документов google 
https://docs.google.com/file/d/0B-1jZ2zFeww8ZGM5U2pEa1dLZXM/edit
Доклад отдельным файлом в формате ppt [ ] Структура Распределение концентрации



8201 Лебедев Андрей Владимирович  Инфраструктурное обеспечение семинара.



 
Филатов Д.А.
 
 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 20 декабря 2012 планируется участие:

 

  • Устинов А.  д.ф.-м.н
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция
  • Григорьев А. Д.  д.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Михаил Давидович Парнес,доктор наук ,  главный инженер ООО "Резонанс"
  • Nataly Grigorieva к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Наталья Медведева к.ф.-м.н.
  • Андрей Дроздовский к.ф.-м.н.
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ММС" начальник отдела 
  • Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy
  •    


Благодарности:

Филатову Д.А.
Марочкину В.В.



Требования к участнику семинара: 

Предоставляемые материалы:
  1. фотография докладчика 100Х133 96на дюйм ФИО
  2. фотография оппонента  100Х133 96на дюйм ФИО
  3. Аннотация формат txt
  4. Название доклада формат txt
  5. Доклад в формате документов google (ссылка)
  6. Доклад отдельным файлом в формате ppt (ссылка)
  7. Ссылка на файл доклада для скачвания
  8. Сам доклад  в формате doc.
  9. Модуль VI - если работа в LabVIew 
  10. Программный код, если работа в прикладных пакетах
  11. Слайд 1 ширина 200
  12. Подпись к слайду 1 формат txt
  13. Слайд 2 ширина 200
  14. Подпись к слайду 2 формат txt
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.


Шаблон

Фотография 100Х133 96на дюйм Докладчик Слайд 1 ширина 200 Слайд 2 ширина 200

Оппонент
Фотография 100Х133 96на дюйм
Доклад в формате документов google 


Доклад отдельным файлом в формате ppt  Подпись к слайду 1 Подпись к слайду 2



Семинар 24. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 18 окт. 2012 г., 10:14 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 19 окт. 2012 г., 1:24 ]

Интернет  - семинар. 21_30. 18-го октября  2011г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара

Семинар проходит в рамках темы "Численное решение уравнений полупроводниковой электроники", курса: "Компьютерные технологии".
Интернет-семинар: "Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.

 Доклады:

  Степанов Вячеслав 8201
Исследование особенностей  сходимости  в задачах моделирования  ПТШ в среде  FlexPDE. Часть 1. 

Рассматриваются  различные варианты граничных условий на закруглениях полупроводникового образца с металлизированным затвором. https://www.dropbox.com/s/yh9euguscafi586/Stepanov.pdf


---
 
Концентрация 

Напряженность электр. поля.


   Лебедев Андрей Владимирович 8201 Исследование особенностей  сходимости  в задачах моделирования  ПТШ в среде  FlexPDE. Часть 2. Рассматриваются  различные варианты граничных условий на закруглениях полупроводникового образца с металлизированным затвором.Исследуется  вопрос сходимости в зависимости от лощины образца. https://www.dropbox.com/s/7h7t05zxautehum/Lebedev.pdf

Граничные условия 
 


3.  Марочкин В. Образование в Финляндии.


Литература к теме семинара:

В семинаре принимали участие:


  1. Степанов Вячеслав 8201 - 15 + 5
  2. Лебедев Андрей 8201 - 15
  3. Калинин Сергей 8207 - 10
  4. Ефимов Юрий 8294 - 10
  5. Свистунов Александр 8291- 10
  6. Яковлев В.Г.8294 - 5
  7. Тереньтьева Валентина 8294 - 5
  8. Соколов Е.В. 8294 - 10
  9. Можаев Евгений 8201 - 5
  10. Седельников Владимир 8201 - 5 + 5
  11. Тальнишних Надежда 8291 - 5
  12. Афанасьев А.Ю. 8294 - 5
  13. Архипов С.В.8294 - 5
  14. Дмитрий Скворцов 8294 - 5
  15. Марочкин в.

Семинар 23. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 24 мая 2012 г., 8:48 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 24 мая 2012 г., 10:19 ]


Интернет  - семинар. 21_30. 24-го мая 2012г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.

Секция:" Динамическое моделирование в среде Synopsys TCAD 


"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Антонов Антон, 9202, ЛЭТИ 
  

Доклад: https://docs.google.com/presentation/d/11U5IsOzERX8B6sFOxrz4nBaqnMqwn2BDLZyiWi-woNc/present#slide=id.p14 
Доклад отдельным файлом:  
http://dl.dropbox.com/u/78760888/AntonovAV9202_dynamic_simulation_h.pdf
Видео:
http://youtu.be/DnSsBhhlAjM


Частота отсечки
.
.
Переходные процессы при изменении напряжения на затворе ПТШ





"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Николай Шерстнев,  ЛЭТИ 
  

Доклад:  https://docs.google.com/open?id=0ByI6eiXEgdIYUnY2X1hoeHdpWTA  
Доклад отдельным файлом:  
................................................
Видео:

http://www.youtube.com/watch?v=Gy6dFTEwgO4&feature=channel&list=UL




Элементы технологии
.
 
Приборное моделирование




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Вайгачев Александр,
Горохов Али
 ЛЭТИ 
  

Доклад http://dl.dropbox.com/u/79762966/VaygachevGohohov.pdf 
Доклад отдельным файлом:  
..................................................
Видео:
http://www.youtube.com/watch?v=y6w9Sjmc-7s
.
.

Технологические операции
.

Приборное моделирование




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Прохоров Александр, ЛЭТИ 
  

Доклад https://docs.google.com/open?id=0B-HiTkosRC_WOVgtRlY4dmlUb1U 
Доклад отдельным файлом:  
http://ifolder.ru/30692895
Видео:
http://youtu.be/9VxFt_wqStU
-ссылка на первую часть youtube

http://youtu.be/tyS3IPUFVCk
-ссылка на вторую часть youtube

http://youtu.be/KEyBX1TUtgI
-ссылка на третью часть youtube

http://youtu.be/fR77CQh4nS4
-ссылка на четвертую часть youtube 
.
модуль полного тока
. .
динамика образования обедненной области




"Приборно-технологическое  моделирование SI-MESFET. Расчет переходных процессов". 







 
Волынкин Сергей, ЛЭТИ 
  

Доклад:  http://dl.dropbox.com/u/71259886/volinkin9208.pdf 
Доклад отдельным файлом:  

Видео:

http://www.youtube.com/watch?v=rqLYbaVYOeg

http://www.youtube.com/watch?v=1O2ybQgdy1Y

http://www.youtube.com/watch?v=VzaA7DiYJgs

. .
Приборное моделирование

Частота отсечки ПТШ в зависимости от поданного напряжения на затвор



Секция:" LabView  моделирование 





Филатов Д.А.
 
 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 22 декабря 2011 планируется участие:

 




  • Калиникос Борис Антонович д.ф.-м.н., зав.каф.,
  • профессор, ЛЭТИ, Лауреат государственной премии СССР
  • Шаповалов Виктор Иванович, д.т.н проф. ЛЭТИ
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция, Париж
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Зубко Светлана Петровна к.ф.-м.н
  • Михайлов Николай Иванович к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Устинов А.  к.ф.-м.н
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ммс" начальник отдела 
  • Марочкин В. В. аспирант Финляндия. Хельсинки.
  • Черкасский Михаил Анатольевич аспирант ЛЭТИ   


Благодарности:

Филатову Д.А.
Марочкину В.В.

Семинар 22. Компьютерные технологии в твердотельной электронике

Отправлено 8 дек. 2011 г., 5:08 пользователем Vadim VVP   [ обновлено 24 мая 2012 г., 8:26 ]


Интернет  - семинар. 21_30. 22-го декабря 2011г.
В.В.Перепеловский
ведущий семинара
Интернет-семинар: "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники"

Рассматриваются вопросы численного моделирования микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники в рамках двухмерной и квазидвухмерной модели. Обсуждаются лабораторные работы, по двухмерному моделированию приборов твердотельной электроники. Обсуждаются особенности применения интегро-дифференциальных операторов дробного порядка в области моделирования приборов твердотельной электроники. Уделяется внимание вопросам сопряжения компьютеров с нестандартными внешними устройствами в среде LabView. Основная технология семинара - технология skype.


Отзыв на семинар:
Общее впечатление. Я потрясен.  Поражают три вещи: 
1- уровень организации (точнее организованности) и ответственности участников 
2- уровень технической оснащенности и решения всех софт-проблем
3- и "уровень" весьма и весьма .....
Основное образовательное значение в том, что педагого -эффект значительно выше (на мой взгляд) т.к. здесь другой уровень общения студент - преподаватель или студент-студент или преп-преп, чем в аудитории. И главное, здесь напрягаются (не зависимо от чинов и званий) все в меру своих сил.  А если смотреть еще глубже, то университетское образование (которому 1000 лет) в Англии и Германии строилось по принципу домашних встреч студентов и аспирантов у профессора и обсуждения за чаем научных вопросов.  Какое-то время это сохранялось в политехе у старых профессоров (в основном тех, кто учился в Германии), но после 1937 такое стало очень опасно. К тому же малогабаритные квартиры и удаленность затрудняет такие способы общения.  В Кембридже и Оксфорде -это совместные обеды -не помню точно как называются. Клоню к тому, что у того что делается очень глубокие корни университетских традиций,  а следовательно - данный подход будет распространяться 
Олег Пахомов к.ф-м.н. доцент ЛИТМО С.Петербург.

Прошу слова, потому как чувствую потребность высказаться по поводу нашего семинара. Лично мне всегда доставляло большое удовольствие принимать в нём самое активное участие, прежде всего в силу его не формальности и удивительной лёгкости общения. Уходят ненужные и искусственные грани между «студентами и преподами», всё идёт естественно и, главное, «по делу». 

Так, что большое спасибо организаторам, по-моему это большое и нужное дело. 

Теперь несколько конкретных предложений. Итак, по пунктам... 
1. Нам нужен чёткий распорядок, неукоснимо соблюдаемый, как на всяком подобном мероприятии. Длительность дискуссии после выступления должна быть регламентирована и строго контролироваться.
2. Хорошо было бы расширить тематику, включив, например, магнетизм. 
3. Предлагаю каждому выступающему подготовить короткое резюме с перечислением ключевых слов и разослать их участникам. 
4. Наконец, преисполнимся здоровыми амбициями. Не будем забывать, что в этом году мы будем отмечать, двухсотлетнюю годовщину с тех пор как умыли Наполеона Бонапарта, так будем же достойны свершений предков! Может кто-нибудь подготовит сообщение по-английски, или разбежится так, что сделает по-французски. Это позволило бы существенно расширить аудиторию с парижской стороны. 
Andre Stachkevish - France- проффесор

Отмеченные доклады:
Номинация:  Оригинальные  математические методы
"Описание кинетики переключения в сегнетоэлектриках в рамках формализма интегро-дифференциальных операторов дробного порядка"
Лобанова Евгения. 7293. Петрова Катя, группа 6203, ЛЭТИ. 
По итогам серии семинаров осеннего семестра 2011г.  следует отметить:
  • Тараканова Ивана Николаевича гр. 7203, за лучшие вопросы на семинарах; 
  • Горяинова Виктора Сергеевича гр. 7293 и Большакова Андрея Сергеевича, за высокую самостоятельность при выполнении курсовых работ.
Технические особенности работы семинара:В семинаре предполагаются две группы участников. 
Первая группа находится в skype пространстве и состоит из преподавателей и докладчиков
Вторая группа находится в специализированном чате сайта https://sites.google.com/site/fet5486/chat и имеет возможность слушать выступления и задавать вопросы письменно.
По мере выступлений оппоненты переводятся в основное - skype пространство.
Такая работа семинара обусловлена подключением большого количества слушателей (предполагается более 30 человек).


ДОСКА   ПОЧЕТА   2011





 C наступающим новым 2012 годом!!!_     
 

Секция:"Удаленный доступ к нестандартным внешним устройствам  в среде LabVIew " 
"Удаленное управление устройствами I700  в среде LabVIew". 

Большаков






 
Большаков Андрей Сергеевич, 7291, ЛЭТИ 
 Оппонент:   Сорока Роман  Михайлович,  7291 
Рассматривается технология удаленного доступа к устройствам серии I7000  по протоколу TCP/IP   из среды LabVIew 
Доклад: https://docs.google.com/open?id=0B-k7r9CDaivrZjFiMThlZmYtNjU4MC00MDQwLThmNTQtZmEwNzY3MTlmMDk4
Доклад отдельным файлом:  
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/kurs_Bolshakov_ver3.ppt
Удаленный доступ к вычислительным ресурсамУдаленный доступ к вычислительным ресурсам Кафедры ФЭТ
LabVIew удаленный доступ по протоколу tcp/ip

LabVIew удаленный доступ в рамках протокола tcp/ip

"Команды управления  устройствами I700 в среде LabVIew". 
Паньчак Александр Николаевич  
7291.  ЛЭТИ.  Оппонент: Тараканов Иван Николаевич 7203
Рассматривается  Алгоритм работы АЦП стандарта I7000  в рамках  протокола TCP/IP, среда программирования - LabVIew 
Доклад: 
https://docs.google.com/present/edit?id=0AZ-R6qN-aQYAZGQ4cHFoNXRfNTJmc2czNGhkOA&hl=ru
Доклад отдельным файлом: 
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/kur_Labview_komandy_7291.ppt 
команды управления АЦП
Команды управления АЦП стандарта I7000.  Картинка  увеличивается. 
Алгоритм работы АЦП через TCP/IP
Алгоритм работы АЦП стандарта I7000 через TCP/IP. Картинка  увеличивается.

"Организация многопользовательского доступа к устройствам Rohde-Schwarz в среде  LabView ".
Полтораков Виталий, группа 6207, ЛЭТИ.
(Доклад переносится  из за болезни  Полторакова Виталия).


Секция:"Приборно-технологическое моделирование приборов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
"Моделирование дискретно-металлизированных полупроводниковых устройств в среде SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"  
Витько В. Витько Виталий Валерьевич,  7207, ЛЭТИ. 

 Оппонент:  Вайник Александра Витальевна     группа 7207   
Александра Вайник




Рассматривается задача управления обедненной областью в дискретно-металлизированной полупроводниковой структуре
Доклад:
https://docs.google.com/present/view?id=0AWnFeLVBl_HzZDltNTU2OF8zNmNkdHQ3Ymhw&hl=ru&ncl=true
Доклад отдельным файлом:
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/discretely%20metall%20devices.ppt
Дискретно металлизированная полупроводниковая структура


Дискретно-металлизированная полупроводниковая структура
Электростатический потенциал в дискретно металлизированной полупроводниковой структуре

Электростатический потенциал в дискретно металлизированной полупроводниковой структу

"Исследование зависимости  ВАХ ПТШ  от  концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Среда моделирования: SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"  
Павленко Таня
Павленко Т.В., группа 7207, ЛЭТИ.
Оппонент - Перчаткина Дарья гр.7207
Рассматривается  зависимость ВАХ ПТШ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Моделируются структуры с тонкой и толстой подложкой.
Доклад отдельным файлом:
Структура моделируемых ПТШ

Структура моделируемых ПТШ
ВАХ ПТШ с толстой подложкой

 ВАХ ПТШ с толстой подложкой

Медведева В
"Исследование зависимости  ВАХ ПТШ  от  толщины буферного слоя. Среда моделирования:  SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"    
Медведева Валентина Владимировна, группа 7207, ЛЭТИ 
Оппонент: Ксения Кузьмина, гр. 7207 
Доклад отдельным файлом: http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/Medvedeva_var4.pdf

Зотов Марат
"Моделирование полевого транзистора Шоттки с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD" 
Зотов Марат Иванович, группа 7294, ЛЭТИ
Оппонент: Никитин Андрей

Горяинов
"Моделирование двузатворного ПТШ в среде Synopsys"
Виктор Горяинов , ЛЭТИ.  




Секция:"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде  FlexPDE"
"Исследование особенностей  сходимости  в задачах моделирования  ПТШ в среде  FlexPDE". 
Макеев Сергей Константинович
 Макеев Сергей , группа 7293, ЛЭТИ
 Оппонент: Паньчак Александр    Николаевич  7291 
В некоторых случаях задача  моделирования ПТШ не сходится или дает странные решения. Работа направлена на выяснение причины таких случаев.
Доклад:http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/
Makeev_FlexPDE_2011.pdf

Доклад отдельным файлом: 
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/Makeev_FlexPDE_2011.pptx
Плохая сходимость
Пример  плохой сходимость в следствии не соблюдения граничных условий в области стокового контакта.
Средняя сходимость
Пример  улучшения сходимость  в  результате увеличения длинны стоковой области ПТШ  


Секция: " Интегро-дифференциальные операторы дробного порядка  в сегнетоэлектриках"  
"Описание кинетики переключения в сегнетоэлектриках в рамках формализма интегро-дифференциальных операторов дробного порядка" 

Лобанова Е

Лобанова Евгения. 7293. Петрова Катя, группа 6203, ЛЭТИ 

Очень краткое сообщение о интегро-дифференциальных операторах дробного порядка. Приводится обзор работы посвященной использованию  операторов интегро-дифференциальных операторах дробного порядка в моделировании  тока переключения сегнетоэлектрической тонкой пленки KNO3.

Доклад представлен в виде рисунков
и файла 
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_
2011/opisaanie_kinetiki_perekly_segneto.pdf
 

 Доклад отдельным файлом: 
http://dl.dropbox.com/u/15629508/7000_2011/segno_drobi.docx 

Петрова Катя
Доклад  
https://docs.google.com/viewer?a=v&pid=explorer&chrome=true&srcid=0BzeeMJ8R7S
PpNDg0MGZkMjQtZTkyNC00NDYwLWI4ZDMtYTNmYzFlM2Y1NmIz&hl=en_US
Определение интеграла дробного порядка
Определение  интеграла  дробного порядка 
Сравнение графиков перезарядки 
Конечно-разностное представление дробной производной
Конечно-разностное представление дробной производной 


 Кусочная аппроксимация экспериментальной зависимости тока переключения сегнетоэлектрической тонкой пленки KNO3 от времени, полученныая с использованием дробной производно
 
Филатов Д.А.
 
 





Инфраструктурное обеспечение семинара.
Организация технологии удаленного доступа  к вычислительным ресурсам кафедры    



В семинаре 22 декабря 2011 планируется участие:

 




  • Калиникос Борис Антонович д.ф.-м.н., зав.каф.,
  • профессор, ЛЭТИ, Лауреат государственной премии СССР
  • Шаповалов Виктор Иванович, д.т.н проф. ЛЭТИ
  • Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Франция, Париж.
  • Григорьев А. Д.  д.ф.-м.н. ЛЭТИ
  • Левицкий Алексей Александрович, к.ф.м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет"
  • Пахомов О. к.ф.-м.н ЛИТМО С.Петербург
  • Зубко Светлана Петровна к.ф.-м.н
  • Михайлов Николай Иванович к.ф.-м.н
  • Перепеловский Вадим Всеволодович к.ф.-м.н.
  • Устинов А.  к.ф.-м.н
  • Семенов А. к.ф.-м.н
  • Иванов Б.В. к.ф.-м.н
  • Филатов Д. А.  "Радар ммс" начальник отдела 
  • Марочкин В. В. аспирант Финляндия. Хельсинки.
  • Черкасский Михаил Анатольевич аспирант ЛЭТИ   


Благодарности:

Филатову Д.А.
Марочкину В.В.

1-10 of 34